Итоговая работа по технологии

Вакуумное покрытие для создания гибких углеродных экранов и TouchScreen (атомное наслаивание).

Гельмгольцовский центр Дрезден-Россендорф

Часть B

Методика эксперимента

Цель работы

Цель работы: Измерние Вольт- амперной характеристики ленты высоко- температурного проводника 2-го поколения.

Объект испытания: ВТСП-2. Образец ленточного сверхпроводника 2-го поколения на основе итреевой керамики.

Производство: Super Power

Маркировка: SCS 120 50 - AP (часть А)

SCS 40 50 - AP (часть B)

Условие работы: Испытания проводятся при температуре жидкого азота

а) Схема образца:

Рис.1 Схематическое изображение образца для измерения переходных характеристик ВТСП лент.

Основная рабочая зона (V11); зоны контактов (V12 и V13); буферные зоны (V14 и V15).

Образец шунтирован стальной пластиной сопротивлением 2 *10^-3 Ом.

Пайка контактов выполнена припоем ПОС61.

b) Схема установки:

Жидкий азот (72К)

образец

с) Методика измерения: Измерения проводятся путем прямых электрических измерений.

3. Измерения и вычисления:

3.1) Критический ток:

Ic=294 A

3.2) Сопротивление контактов:

Сопротивление контакта определяется в линейной части.

3.3) n фактор:

E=Ec

n = = = 27

3.4) Погрешность:

Измерение образца производится на шине, до того момента, как ток может поделиться на ток подложке.

=0.2

Измерение погрешности критического тока:

()

Обработка результатов:

4. Вывод:

n = 27

,,.

0.2 (Критический ток измерен с погрешностью 0.14 А)

1. Определить в чем проблема.

2. Можно ли определить величины R1, R5, Ic(Ec=1мкВ/см), n- фактор

5. Обработка результатов:

В чем проблема: Наблюдается преждевременное повышение напряжения во второй буферной зоне.

Причина: Нагрев одного из контактов.

Точечный дефект критической плотности тока.

Можно измерить какие- либо характеристики:

3 участок не поврежден и мы можем определить.

n – фактор: Слишком мал диапазон в котором мы можем определить n фактор.

Сопротивление контактов R: Можем определить.

Погрешность:

6. Вывод:

= 100 А

n фактор =11.83

,,.

=

Здесь общие слова, что в микроэлектронике за 15-20 лет будет достигнуто 5 нм: https://www.helmholtz.de/en/research/key_technologies/fundamentals_of_future_information_technology/

Есть ссылки на то, что имеется оборудование для работы с пучками фотонов и ионов:

https://www.helmholtz.de/en/research/structure_of_matter/research_with_photons_neutrons_and_ions_pni/photons/

https://www.helmholtz.de/en/research/structure_of_matter/research_with_photons_neutrons_and_ions_pni/ions/

- Фраунгоферовский FEP (центр низкоэнергетичных электронных пучков и плазменных технологий)

https://www.fep.fraunhofer.de/en/Geschaeftsfelder/Beschichtung_flexiblen_Produkten.html

Фамилия, имя __________________________________ Класс ______________________