Измерение проходной характеристики и определение крутизны транзистора

По методике, аналогично описанной в предыдущем пункте, выполняем построение проходной характеристики транзистора – зависимости Iк(Uбэ). Задаемся величиной тока коллектора в рабочей точке в интервале Iк=1 – 5 мА. В выбранной точке определяем значение крутизны. Для этого на нижеприведенном графике помещено два соответствующих маркера. В нижней части графика показано следующее значение Slope – наклон. Таким образом это будет указывать приближенное значение крутизны транзистора, которое в данном измерении составляет 6,618мСм.

3. Измерение статической зависимости Iк(Iб) и определение статического коэффициента усиления тока.

На нижеприведенном графике показана зависимость тока коллектора от тока базы. На графике четко видна линейная зависимость. Коэффициент усиления тока вычисляется по следующей формуле

B=Iк/Iб

В данном случае его значение приближенно равняется 190.

Нижеприведенный график – график зависимости B(Iк). На этом графике определяем величину коэффициента В для выбранного ранее значения тока коллектора, который приблизительно составляет 30мА. Значение В стремится к отметке 210.

Сравнив оба графика, видно, что значения статического коэффициента усиления тока не сильно отличаются друг от друга.

Из графика видно, что при большем значении коллекторного тока, значение коэффициента В увеличивается.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: