Влияние возрастания потоков электронов в ОКП

Поскольку радиационная доза, создаваемая электронами, не столь велика, то на первый план выходят две проблемы.

1. Релятивистские электроны с энергиями выше 1 МэВ во внешнем РПЗ, так называемые «электроны-киллеры». Для КА, находящихся на орбитах, пересекающих внешний РПЗ, такие электроны представляют значительную опасность, поскольку частицы высоких энергий могут проникнуть глубоко внутрь электронной микросхемы и привести к единичным сбоям, изменяя электрическое состояние элементов микросхемы, сбивая ячейки памяти и вызывая фальшивые срабатывания.
2. Электризации спутников, Поскольку любой объект, погруженный в плазму, должен находиться с ней в электрическом равновесии, он поглощает некоторое количество электронов, приобретая отрицательный заряд и соответствующий "плавающий" потенциал, примерно равный температуре электронов, выраженной в электронвольтах. Появляющиеся после магнитных магнитных бурь потоки «горячих» (до нескольких сотен кэВ) электронов придают спутникам дополнительный и неравномерно распределенный, из-за различия электрических характеристик элементов поверхности, отрицательный заряд. Разности потенциалов между соседними деталями спутников могут достигать десятков киловольт, провоцируя спонтанные электрические разряды, выводящие из строя электрооборудование (подробнее см. материалы по теме "Электризация космических аппаратов"). Наиболее известным следствием такого явления стала поломка во время одной из магнитных бурь 1997 года американского спутника TELSTAR, оставившая значительную часть территории США без пейджерной связи [1].