Описание МДП транзистора

МДП транзистор, имеющий модель N1 и ширину канала 10мкм и длину 3 мкм, будет описан следующим образом.

После обозначения транзистора M1 (первый символ - M) перечисляются выводы стока, затвора, истока и подложки, название модели (N1) транзистора и его размеры:

M1 1 2 3 4 N1 W=10um L=3um

Модель транзистора описывается следующим образом:

.model N1 NMOS(список параметров)

Основные параметры модели следующие:

LEVEL - уровень сложности модели (рекомендуется LEVEL=3);

LD - отличие эффективной длины канала от геометрической [mkm];

WD - отличие эффективной ширины канала от геометрической [mkm];

Vto - пороговое напряжение при нулевом смещении [B];

Tox - толщина окисла [m];

Uo - максимальная подвижность носителей в канале [см*см/В/сек];

Gamma - коэффициент влияния подложки на пороговое напряжение;

Lambda - коэффициент модуляции длины канала [1/B];

Cbd - емкость перехода подложка-сток при нулевом смещении [Ф];

Cbs - емкость перехода подложка-исток при нулевом смещении [Ф];

Cgso - удельная емкость перекрытия затвор-исток [Ф/м];

Cgdo - удельная емкость перекрытия затвор- сток [Ф/м];

Cgbo - удельная емкость затвор-подложка [Ф/м];

для p-канальных транзисторов пороговое напряжение Vto < 0!

Рис. 50. Подключение МДП транзистора

Пример параметров:

.model M1 NMOS(LEVEL=3 Ld=0.2um Wd=0.1um Vto=1 Tox=0.06um Uo=600 Cbd=0.05p

+ Cbs=0.05p Cgso=0.02p Cgdo=0.02p Cgbo=0.03p)