За наявності у власному напівпровіднику двох типів носіїв заряду його провідність складається із двох компонент – електронної і діркової
,
де рухливості електронів і дірок. Основний внесок у залежність вносить концентрація носіїв заряду (13), яка залежить від температури як
.
У той же час для невиродженого напівпровідника у високотемпературному наближенні , тому що , а . Таким чином,
, (14)
константа, яка не залежить від температури.