Глава 6. Измерение параметров

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ДИОДОВ, ТРАНЗИСТОРОВ

И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Общие сведения

Современные сложные электронные устройства различного назначе­ния характеризуются высокой надежностью и малыми габаритными раз­мерами благодаря применению в них диодов, транзисторов и интеграль­ных микросхем (ИМС), выполняющих вполне конкретные функции.

Входящие в состав ИМС диоды, транзисторы, резисторы и конден­саторы оказывают влияние на свойства микросхем и при недостаточно­сти информации об их параметрах, особенностях эксплуатации, схема включения не обеспечивают наилучшие режимы работы электронного устройства в целом. Разброс параметров и характеристик полупровод­никовых приборов и ИМС одного и того же типа, чувствительность к перегрузкам, влияние изменения температуры приводят к необходи­мости перед установкой в электронную схему проводить их испытание.

Полупроводниковые приборы классифицируются по функцио­нальному назначению, мощности и граничной частоте применимости.