Схемы замещения транзисторов. Модель Эберса-Молла

Отсечка: Оба диода закрыты, оба источника тока отсутствуют. Решение уравнения Эберса - Молла дает следующей результат:

Всвязи с тем что b_И (инверсное) b_И<<b Þ b_И/b=0.В разультате в базе протекает ток I_КТ. Когда транзистор находится в отсечке в Б и К течет почти одинаковый ток.

Схема замещения со стороны базы:

Тепловой ток ‑ величина постоянная и зависит от температуры: при увеличении t на 10°С ток увеличивается в два раза.

Схема замещения со стороны коллектора:

Линейный режим: Д Э открыт ДК закрыт.

I_К=a * I_ДЭ; I_Э=I_ДЭ Þ I_К=a * I_Э, где a - коэффициент усиления по току, его значение находится в пределах от 0,8 до 0,995.

В линейном режиме I_К=I_Э. Определим связь между I_К и I_Б: I_Б=I_Э - I_К=
=I_К/( - I_К)=I_К((1 - a)/a);

I_К=a/(1 - a) * I_Б; a/(1 - a)=b, где b - коэффициент передачи по току.

I_Э=(b+1) * I_Б; a = b/(b+1);

Значение b можно получить из справочника.

I_Э=I_К+I_Б

Схема замещения со стороны базы:

Значение U_БЭ находится по справоч-

нику

Схема замещения со стороны коллектора:

Насыщение: открыты оба диода. Схема замещения со стороны базы такая же как в линейном режиме. Возможна следующая схема замещения всего транзистора:

Величина U_БК справочная но всегда U_БК < U_БЭ. Будем считать, что U_БК»0.6 В, а U_БЭ»0.7 В.

Исходя из этой схемы замещения можно построить схему замещения со стороны К:

Токи в режиме насыщения никак не связаны ‑ они всегда определяются внешней схемой. Если пренебречь падениями напряжения на диодах то можно условно считать, что транзистор стягивается в точку: I_Э=I_К+I_Б.

Инверсный режим: ДК открыт

I_Э=a_И * I_К;

I_Э=b_И * I_Б;

I_К=I_Э+I_Б;

a_И находится в пределах от 0,3 до 0,4.

Схема замещения со стороны базы:

Схема замещения со стороны эмитера: