Диоды VD1, VD2 называются диодами смещения. Их может быть разное количество. VDОС ‑ диод обратной связи (ОС). Рассмотрим принцип работы схемы.
ЕС должно быть небольшим либо RС подключается на землю. Когда
напряжение на входе соответствует НУ, диоды смещения закрыты и транзистор закрыт, на выходе ВУ. Когда напряжение на входе переключается в ВУ, диоды смещения открываются и в базе появляется ток, транзистор начинает отрывается и напряжение на выходе понижается, диод VDOC закрыт. когда напряжение на выходе достигает определенного уровня (для этой схемы ‑ 1,4В), диод ОС открывается и часть тока IRБ, а следовательно и IБ, будет протекать через VDOC. При этом транзистор будет находится в линейном режиме в окрестностях границы насыщения. Таким образом, когда транзистор достигнет границы насыщения IБ снизится, что и требуется для организации оптимальной формы тока IБ, причем время рассасывания при выключении можно считать равным нулю.
Когда напряжение на входе переключается в НУ диоды смещения закрываются, диод эмитера еще открыт и в схеме протекает выключающий ток IБ2 через цепочку смещения. После запирания диода эмитера выключающий ток снизится до IКТ.
|
|
Определим состояние транзистора когда на выходе ВУ (транзистор открыт и диод ОС открыт). Нарисуем схему замещения со стороны базы.
n=2; UБ=UБЭ=0,7 В
UА=UБ+n*UДС=2,1 В
UY=UА - UДОС=1,4 В
Схема обеспечивает максимальное быстродействие инвертора. Недостаток ‑ ухудшение помехоустойчивости. Условием применения НООС является закрытое состояние диода коллектора.
Определим минимальное количество диодов смещения, которое необходимо для нормальной правильной работы
НООС:
UБ=UБЭ;
UК=UБЭ+n*UДС - UДОС
Условие закрытого состояния диода коллектора:
UБ - UК < 0,3 В
UДОС - n * UДС < 0,3В
n ³ (UДОС - 0,3)/UДС=0,4/0,7» 0,57 В
Схема будет работать если n=1.
Если VD германиевый, то диоды можно не ставить, так как падение напряжения на них не более 0,3 В.
В интегральных микросхемах в качестве диода ОС используют диод Шоттке. Диод Шоттке представляет собой контакт полупроводника с металлом у которого малое время восстановления и малое падение напряжения в открытом состоянии (около 0,2В). Транзистор у которого между коллектором и базой включен диод Шоттке называется транзистором Шоттке.
Рассчитаем схему:
IБ=IRБ - IC
IRБ=(UХ,В - UА)/RБ
IБ=IRБ - IС - IОС
IБ+IК=IRб+IRк - IС
IБ=(IRб+IRк - IС)/(b+1)
IRк=(EК - UY,Н)/RК
НООС почти не влияет на нагрузочную способность.