Нелинейная отрицательная обратная связь (НООС)

Диоды VD1, VD2 называются диодами смещения. Их может быть разное количество. VDОС ‑ диод обратной связи (ОС). Рассмотрим принцип работы схемы.

ЕС должно быть небольшим либо RС подключается на землю. Когда

напряжение на входе соответствует НУ, диоды смещения закрыты и транзистор закрыт, на выходе ВУ. Когда напряжение на входе переключается в ВУ, диоды смещения открываются и в базе появляется ток, транзистор начинает отрывается и напряжение на выходе понижается, диод VDOC закрыт. когда напряжение на выходе достигает определенного уровня (для этой схемы ‑ 1,4В), диод ОС открывается и часть тока I, а следовательно и IБ, будет протекать через VDOC. При этом транзистор будет находится в линейном режиме в окрестностях границы насыщения. Таким образом, когда транзистор достигнет границы насыщения IБ снизится, что и требуется для организации оптимальной формы тока IБ, причем время рассасывания при выключении можно считать равным нулю.

Когда напряжение на входе переключается в НУ диоды смещения закрываются, диод эмитера еще открыт и в схеме протекает выключающий ток IБ2 через цепочку смещения. После запирания диода эмитера выключающий ток снизится до IКТ.

Определим состояние транзистора когда на выходе ВУ (транзистор открыт и диод ОС открыт). Нарисуем схему замещения со стороны базы.

n=2; UБ=UБЭ=0,7 В

UА=UБ+n*UДС=2,1 В

UY=UА - UДОС=1,4 В

Схема обеспечивает максимальное быстродействие инвертора. Недостаток ‑ ухудшение помехоустойчивости. Условием применения НООС является закрытое состояние диода коллектора.

Определим минимальное количество диодов смещения, которое необходимо для нормальной правильной работы
НООС:

UБ=UБЭ;

UК=UБЭ+n*UДС - UДОС

Условие закрытого состояния диода коллектора:

UБ - UК < 0,3 В

UДОС - n * UДС < 0,3В

n ³ (UДОС - 0,3)/UДС=0,4/0,7» 0,57 В

Схема будет работать если n=1.

Если VD германиевый, то диоды можно не ставить, так как падение напряжения на них не более 0,3 В.

В интегральных микросхемах в качестве диода ОС используют диод Шоттке. Диод Шоттке представляет собой контакт полупроводника с металлом у которого малое время восстановления и малое падение напряжения в открытом состоянии (около 0,2В). Транзистор у которого между коллектором и базой включен диод Шоттке называется транзистором Шоттке.

Рассчитаем схему:

IБ=I - IC

I=(UХ,В - UА)/RБ

IБ=I - IС - IОС

IБ+IК=I+I - IС

IБ=(I+I - IС)/(b+1)

I=(EК - UY,Н)/RК

НООС почти не влияет на нагрузочную способность.


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: