Использование схемы Дарлингтона

Для повышения нагрузочной способности и уменьшения выходного сопротивления транзистор VT₃ включается по схеме Дарлингтона. Транзистор VT₃^¢¢ - всегда в линейном режиме, так как переход База - Коллектор шунтируются переходом Коллектор - Эмиттер VT₃^¢, находящегося, как правило, в линейном режиме. Выходное сопротивление схемы практически не зависит от R₂.

Диод из цепи эмиттеров может быть перенесен в цепь базы VT₃. Это повышает выходной уровень элемента, когда VT₃ находится в насыщении. Но при этом исчезает цепь для выключающего тока VT₃. При переносе диода в цепь базы между катодом диода и базой VT₃ включается сопротивление стока. Существует два варианта включения стока:

1. Второй вывод R_C подключается к земле - позволяет ускорить выключение VT3, но увеличивается мощность потребления схемой. Для уменьшения мощности используется второй вариант включения.

2. Второй вывод R_C подключается к эмиттеру VT₃. R_C включено между базой и эмиттером VT₃. Потребление мощности снижается за счет того, что U_R3 не превышает 0,7 В.

Элементы ТТЛШ. (C диодом Шоттки).

Все транзисторы изготавливающиеся с диодом Шоттки работают на границе насыщения. Поэтому U_НУ повышен на 0.1¸0.2 В. Если есть схема Дарлингтона, то VT₃ изготавливается без диода Шоттки.

Современные серии ТТЛ.

К1531, К1533. У элементов этих серий быстродействие 5нс.

Вместо VT₁ в них используется диод Шоттки. Поэтому, фактически, это ДТЛ.