2015-07-03
744
n-канальный:
У поверхности кристалла полупроводника – подложки, с проводимостью Р – типа, созданы две области n-типа и тонкая перемычка между ними, называемая каналом. Области n-типа имеют выводы во внешнюю цепь (С)- сток (U)- исток.
Полупроводниковый кристалл покрыт окисной пленкой (диэлектриком), на которую напылён металлический затвор (З), связанный с внешней цепью. Таким образом, затвор изолирован от цепи сток - исток при помощи диэлектрика.
Стоковая (выходная характеристика):
При отсутствии управляющего напряжения (
= 0), через канал между n -областями протекает ток 
.
В n-канальном МОП транзисторе при подаче положительного напряжения электрическое поле притягивает электроны из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается и ток Ic растёт (режим обогащения).
При отрицательном напряжении на затворе электрическое поле выталкивает электроны из канала в подложку, сопротивление канала увеличивается и ток падает (режим обеднения).
В p-канальном МОП транзисторе все происходит наоборот
|
|
|
При положительном напряжении на затворе электрическое поле выталкивает носители заряда из канала в подложку, сопротивление канала увеличивается и ток падает (режим обеднения).
при подаче отрицательного напряжения электрическое поле притягивает носители заряда из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается и ток Ic растёт (режим обогащения).
