Для активного режима работы граничные концентрации дырок в базе у эмиттерного и коллекторного переходах определяются, соответственно, выражениями:
; (4.8)
; (4.9)
где и - равновесные концентраций дырок в базе у эмиттерного и коллекторного переходов, соответственно;
- температурный потенциал ( В, при комнатной температуре).
Из выражений (4.8) и (4.9) следует, что и потому что и . На рис.4.6 показано стационарное распределение дырок в базе бездрейфового и дрейфового транзисторов.
Различный характер распределения неосновных носителей вытекает из различия в характере их движения через базу. Так, в бездрейфовом транзисторе поле в базе отсутствует, носители перемещаются вследствие диффузии и стационарное распределение оказывается практически линейным. Через базу течет диффузионный ток, постоянный во всех точках базы.
В базе дрейфового транзистора имеется поле. За счет этого движения носителей в основном определяется дрейфом, поэтому градиент концентрации дырок мал (, рис.4.66) и диффузионная составляющая тока тоже мала.
|
|
Лишь вблизи коллекторного перехода градиент концентрации дырок растет, а следовательно, увеличивается диффузионная составляющая тока в базе и уменьшаема дрейфовая составляющая. Таким образом, в дрейфовом транзисторе ток в базе представляет собой сумму дрейфового и диффузионного токов.
Влияние ширины базы на распределение носителей.
При изменении напряжений и изменяется соответственно ширина эмиттерного и коллекторного переходов. Как следствие этого, изменяется ширина базы. Причем наибольшее влияние на ширину базовой области оказывает изменение ширины коллекторного перехода, находящегося под обратным напряжением. С увеличением обратного напряжения , коллекторный переход расширяется и ширина базы уменьшается. Уменьшение этого напряжения ведет к увеличению . В результате будет функцией , Это явление называют модуляцией толщины базы, или эффектом Эрли. Рассмотрим, как изменение ширины базы влияет на физические процессы в транзисторе. На ркс.4.7 показано распределение дырок в базе транзистора для двух разных напряжений и постоянного напряжения (кривые 1,2). С увеличением отрицательного напряжения ширина базы становится равной , но так как значения граничных концентраций и остаются неизменными, то распределение носителей будет соответствовать кривой 2 на рис.4.7. При этом за счет увеличения градиента концентрации дырок возрастает диффузионный дырочный ток , а, следовательно, и общий ток . Для того чтобы ток эмиттера вернуть к прежнему значению, необходимо градиент концентрации дырок в базе у эмиттерного перехода уменьшить до первоначальной величины. Последнее достигается уменьшением напряжения на эмиттерном переходе (кривая 3, рис.4.7).
|
|
Таким образом, ток зависит не только от напряжения , но и от напряжения , т.е. в транзисторе благодаря модуляции ширины базы возникает обратная связь по напряжению.
В дрейфовом транзисторе происходит незначительное изменение градиента концентрации носителей вблизи эмиттерного перехода, так как ток здесь практически дрейфовый. Существенное изменение концентрации происходит только у коллекторного перехода (рис.4.7), поэтому обратная связь в дрейфовом транзисторе оказывается значительно слабее, чем в бездрейфовом транзисторе.
Кроме этого, за счет изменения ширины базы изменяется доля дырок, рекомбинирующих в области базы. Поэтому чем меньше ширина базы, тем больше дырок достигает коллекторного перехода и ток коллектора увеличивается при неизменном токе эмиттера.