2015-09-06
373
Основой такого транзистора является кристалл кремния p- или n-типа проводимости.
Рис. 1.25 Конструкция и УГО полевого транзистора со встроенным каналом n-типа и изолированным затвором
Принцип действия.
Под действием электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов, т. е. будет существовать ток стока. При подаче на затвор положительного напряжения электроны как неосновные носители подложки будут притягиваться в канал. Канал обогатится носителями заряда, и ток стока увеличится.
При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в подложку, канал обеднится носителями зарядов, и ток стока уменьшится. При достаточно больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и ток стока станет равным нулю.
Вывод: МОП – транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения (напряжение затвор-исток положительное), так и в режиме обеднения зарядов (напряжение затвор-исток отрицательное).
Рис. 1.26 Переходная характеристика МОП транзистора с каналом n-типа
В МОП – транзисторе с каналом p-типа меняются области полупроводника и подводимые напряжения.
