МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
ДО ПРОВЕДЕННЯ ЛАБОРАТОРНИХ РОБІТ
З КУРСУ «ЕЛЕКТРИКА І МАГНЕТИЗМ»
для студентів радіофізичного факультету
КОМПОНОВКА: Горбаченко Василь Анатолійович
II курс 3 група; РФФ. ПФ.
Київ 2011
Зміст
Лабораторна робота № 1
ДОСЛІДЖЕННЯ ЗАЛЕЖНОСТІ ОПОРУ МЕТАЛІВ І НАПІВПРОВІДНИКІВ ВІД ТЕМПЕРАТУРИ 3
Лабораторна робота № 2
ЕФЕКТ ХОЛЛА............................................................................... 17
Лабораторна робота № 3
ДОСЛІДЖЕННЯ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ 26
Лабораторна робота № 4
МАГНІТНА ІНДУКЦІЯ У ФЕРОМАГНЕТИКАХ..................... 38
Лабораторна робота №5
ВИЗНАЧЕННЯ ПИТОМОГО ЗАРЯДУ ЕЛЕКТРОНУ
МЕТОДОМ МАГНЕТРОНУ........................................................... 54
Лабораторна робота № 6
ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ ПОЛІВ................................. 62
Лабораторна робота №7
ТЕРМОЕЛЕКТРОННА ЕМІСІЯ.................................................... 70
Лабораторна робота № 8
ДОСЛІДЖЕННЯ ПЛАЗМИ ГАЗОВОГО РОЗРЯДУ.................. 88
Лабораторна робота № 9
|
|
ДОСЛІД ФРАНКА ТА ГЕРЦА...................................................... 107
Лабораторна робота № 10
ДОСЛІДЖЕННЯ p-n ПЕРЕХОДУ У НАПІВПРОВІДНИКАХ. 117
Лабораторна робота № 11
МЕТОДИ ВИМІРЮВАННЯ МАГНІТНИХ ПОЛІВ................... 132
Лабораторна робота № 1
ДОСЛІДЖЕННЯ ЗАЛЕЖНОСТІ ОПОРУ МЕТАЛІВ І НАПІВПРОВІДНИКІВ ВІД ТЕМПЕРАТУРИ
Мета роботи: порівняння закономірностей температурної залежності електропровідності металів і напівпровідників; визначення температурного коефіцієнта опору металів; визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників.
Зміст роботи і завдання
1. Ознайомитись з експериментальною установкою для вимірювання температурної залежності опору металів і напівпровідників.
2. Виміряти залежність опору досліджуваного металу від температури при її збільшенні і зменшенні у межах від кімнатної температури до 100°С. За експериментальними даними визначити температурний коефіцієнт опору металу .
3. Визначити питомий опір та питому провідність досліджуваного металу.
4. Виміряти залежність опору досліджуваного напівпровідника від температури у тій же послідовності, що і для металу.
5. За експериментальними даними визначити ширину забороненої зони досліджуваного напівпровідника .
6. Користуючись отриманим значенням розрахувати значення ефективної щільності станів у зоні провідності та у валентній зоні напівпровідника, концентрації носіїв заряду у власному напівпровіднику. Розрахунки провести для трьох значень температур 300 К, 350 К, 400 К. Результати оформити у вигляді таблиці.
|
|
7. Для тих самих значень температури визначити питому електропровідність напівпровідника та його питомий опір , а також розрахувати величини рухливості носіїв заряду у досліджуваному напівпровіднику.
8. Визначити похибку вимірів.