Варіант 1
Поз. позн. | Найменування | Кіл | Примітки |
С1 | Конденсатор К50-6-ІІ-15В-50мкФ | Табл. 5 | |
Резистори МЛТ ГОСТ 7113-77 | |||
R1 | МЛТ-0,5-750 Ом + 10% | Табл.4 | |
R2 | МЛТ-0,5-680 Ом + 10% | -''- | |
R3, R4 | МЛТ-0,5-560 Ом + 10% | -''- | |
VD1 | Стабілітрон Д8І8А | Рис. 22 | |
VT1 | Транзистор КТ814Б | Рис. 32,33 | |
VT2 | Транзистор МП38 | Рис. 28, 30 |
Додаток А. Варіанти індивідуальних завдань (продовження)
Варіант 2
Поз. позн. | Найменування | Кіл. | Примітки |
Конденсатори | |||
С1 | МБМ-160В-0.25 мкФ + 10% | Табл. 6 | |
С2 | МБМ-250В-0.5 мкФ + 10% | Табл. 6 | |
С3 | МБМ-250В-1 мкФ + 10% | Табл. 6 | |
Резистори МЛТ ГОСТ 7113-77 | |||
R1-R3 | МЛТ-1-1.8 | Табл. 4 | |
R4 | Резистор КВМ-4.7 кОм + 5% | Табл. 4 | |
VT1 | Транзистор КТ 3102Е | Рис. 31, 33 |
Додаток А. Варіанти індивідуальних завдань (продовження)
Варіант 3
Поз. позн. | Найменування | Кіл. | Примітки |
C1 | Конденсатор МБМ-160В-0.25 мкФ+10% | Табл. 6 | |
R1,R2 | Резистор МЛТ-0.5-680 Ом + 10% | Табл. 4 | |
VT1-VT4 | Транзистор МП26 | Рис. 28, 30 |
|
|
Додаток А. Варіанти індивідуальних завдань (продовження)
Варіант 4
Поз. позн. | Найменування | Кіл. | Примітки |
Конденсатори МБМ | |||
С1,С2 | МБМ-500В-0.5 мкФ + 10% | Табл. 6 | |
С3 | МБМ-750В-0.25 мкФ + 10% | Табл. 6 | |
Резистори МЛТ ГОСТ 7113-77 | |||
R1,R2 | МЛТ-0.125-1.2 кОм + 10% | Табл. 4 | |
R3,R4 | МЛТ-0.125-780 Ом + 10% | Табл. 4 | |
R5 | МЛТ-0.125-4.7 кОм + 10% | Табл. 4 | |
VT1 | Транзистор КТ 3102Е | Рис.31,33 |
Додаток А. Варіанти індивідуальних завдань (продовження)
Варіант 5
Поз. позн. | Найменування | Кіл. | Примітки |
C1 | Конденсатор К50-6-1-15В-10 мкФ + 10% | Табл. 5 | |
DA1 | Мікросхема К554СА3А | Рис. 34, 36а | |
Резистори МЛТ ГОСТ 7113-77 | |||
R1,R4 | МЛТ-1-100 кОм + 10% | Табл. 4 | |
R2,R3 | МЛТ-0.5-24 кОм + 10% | Табл. 4 | |
VD1 | Діод Д207 | Рис. 18 |