ЦИФРОАНАЛОГОВЫЕ И АНАЛОГО-ЦИФРОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА МИКРОСХЕМАХ
Глава шестая
А — МДП-прибор с плавающим затвором; б — условное обозначение; в — матрица-накопитель РПЗУ
Рис. 5.18. ППЗУ на многоэмиттерных транзисторах
Рис. 5.17. ПЗУ на биполярных транзисторах
Таблица 5.6
Микросхема | Тип ПЗУ | Технология | Емкость, бит | Врема выборки, НС | Потребляемая мощность. мкВт/бит |
К155РЕ21 | ПЗУ | ТТЛ | 256X4 | ||
К505РЕЗ | ПЗУ | p-МДП | 512X8 | ||
К188РЕ1 | ПЗУ | кмдп | 1024X1 | ||
К500РТ149 | ППЗУ | эсл | 256X4 | ||
К556РТ4 | ППЗУ | ттлш | 256X4 | ||
К519РР2 | РПЗУ | МНОП | 64X4 | ||
К558РР1 1 | РПЗУ | МНОП | 1024X1 | ||
К558РР1 | РПЗУ | МНОП | 2048Х 1 | ||
К573РФ1 | РПЗУ | p-МДП1) | 1024X8 |
1)С плавающим затвором.
Масочные ПЗУ изготавливают в основном на биполярных или полевых транзисторах. Запись информации в ПЗУ осуществляется на одной из завершающих технологических операций изготовления микросхемы путем формирования схемы подключений транзисторов к шине строки (рис. 5.17).
Организация ПЗУ может быть как одноразрядной, так и многоразрядной. В частности, на рис. 5.17 показана структура ПЗУ с организацией тХп бит. Информация записывается однократно. При кодировании может быть принято следующее условие: 0 соответствует наличие соединения базы транзистора с шиной строки, I — отсутствие такого соединения.
|
|
При выборке строки открываются транзисторы, соединенные с адресной шиной, и на соответствующих им разрядных шинах фиксируется 0. На остальных шинах будет уровень 1. Обычно предусматривается вход ВМ для сигнала разрешения считывания.
Аналогично строятся масочные ПЗУ на МДП-транзисторах.
Программируемые ПЗУ в отличие от масочных ПЗУ позволяют записать, но тоже однократно, нужную информацию самому пользователю. Для этого с помощью специальной установки пережигают плавкие перемычки в точках соединения столбцов и строк. Один из вариантов ППЗУ на основе многоэмиттерных транзисторов показан на рис. 5.18. Один транзистор составляет строку. При выборке по адресной шине на базу транзистора поступает сигнал. Транзистор открывается, и на разрядных шинах формируются уровни напряжения, соответствующие схеме соединения с этими шинами эмиттеров данного транзистора: если эмиттер соединен с шиной, то в эту шину поступит ток от источника коллекторного напряжения, если перемычка разрушена, то тока в шине не будет. Выходными усилителями это различие в состояниях разрядных шин преобразуется в код числа.
Репрограммируемые ПЗУ обычно строят на основе структур МНОП, т. е. металл-нитрид кремния-окисел кремния-полупроводник, или МДП с плавающим затвором. Структура МНОП представляет собой (рис. 5.19,с) МДП-транзистор с двухслойным диэлектриком под затвором. Нижний, примыкающий к полупроводнику слой двуокиси кремния толщиной 3 — 4 им, «прозрачен» для электронов. Если к затвору относительно подложки приложить импульс напряжения положительной полярности, то под действием сильного электриче-сксгс поля между затвором и подложкой электроны приобретают достаточную энергию, чтобы пройти тонкий диэлектрический слой до границы раздела двух диэлектриков. Верхний слой нитрида кремния имеет значительную толщину, так что электроны преодолеть его не могут.
|
|
Рис. 5.19. МНОП-транзистор (a) и его передаточная характеристика для двух состояний (б)
Накопленный на границе раздела двух диэлектрических слоев заряд электронов снижает пороговое напряжение и смещает передаточную характеристику транзистора влево (рис. 5.19,6). Так записывается 1. Логическому 0 соответствует состояние транзистора без заряда электронов в диэлектрике. Чтобы обеспечить это состояние, на затвор подается импульс напряжения отрицательной полярности. При этом электроны вытесняются в подложку. При отсутствии заряда электронов под затвором передаточная характеристика смещается в область высоких пороговых напряжений.
Для считывания записанной информации на затвор необходимо подать напряжение, значение которого лежит между двумя пороговыми уровнями, соответствующими 0 и 1. Тогда при записанном 1 транзистор откроется, а при 0 — останется в закрытом состоянии.
Число циклов перепрограммирования составляет несколько тысяч. Перепрограммирование осуществляется значительными по амплитуде импульсами напряжения (30 — 40 В), что обусловливает высокие требования к электрической прочности диэлектрических слоев и электронно-дырочных переходов.
Другое направление создания РПЗУ основано на использовании свойств МДП-структур с плавающим затвором (рис. 5.20,а, б). Особенность устройства такого элемента памяти заключается в том, что затвор формируется внутри диэлектрика и не имеет наружных выводов. Затвор отделен от подложки тонким, прозрачным для электронов слоем диэлектрика.
Для записи 1 между истоком или стоком и подложкой прикладывается обратное напряжение, достаточное для создания условий лавинного размножения электронов в электронно-дырочном переходе. Эти электроны, имея большую кинетическую энергию, попадают на затвор, накапливаются на нем и создают потенциал, достаточный для наведения канала. Если на затворе заряд отсутствует, канал не формируется. Это состояние транзистора соответствует 0.
Рис. 5.20. РПЗУ на МДП-приборе с плавающим затвором:
В состав матрицы-накопителя МДП-транзистор с плавающим затвором включают в паре с обычным МДП-транзистором (рис. 5.20,в). Очевидно, что при проводящем состоянии транзистора Т2, когда записана 1, через тракзисторы ti и Т2 в выходную щину потечет ток считывания. Если же записан 0, транзистор Т2 закрыт и тока в выходной шине не будет.
Стирание информации в РПЗУ такого типа производится ультрафиолетовым облучением кристалла микросхемы через окно в крышке корпуса. Количество циклов перепрограммирования около 100.
Репрограммируемые ПЗУ способны сохранять заряд при отклю-ценном питании в течение 2 — 3 тыс. ч.
Под цифроаналоговыми преобразователями (ЦАП) понимают устройства, позволяющие осуществить переход от информации в цифровой форме к информации в аналоговой форме. Эти преобразователи широко используют в системах цифровой обработки данных, в устройствах управления, для вывода информации из ЭВМ и передачи ее на исполнительные устройства и т. п.
В ЦАП входным сигналом является цифровой код в различных системах счисления, а выходным — соответствующее ему значение аналоговой величины в виде напряжения постоянного тока, временного интервала и т. п. В ЦАП, построенных на микросхемах, в качестве входного сигнала чаще всего используют двоичный позиционный код или построенный на его основе десятичный код. Выходным сигналом является напряжение постоянного тока. Подобные ЦАП и будут рассмотрены далее.
|
|
Цифроаналоговое преобразование состоит в суммировании эталонных значений напряжения, соответствующих разрядам входного кода, причем в суммировании будут участвовать только те эталоны, для которых в соответствующих разрядах стоит единица. Структурная схема ЦАП в общем виде показана на рис. 6.1. Для ЦАП выходное напряжение определяется следующим образом:
где Uon — опорное (эталонное) значение напряжения; йь Ь2,..., Ьп — коэффициенты двоичных разрядов, принимающие значения 0 или 1.
Основными параметрами ЦАП являются:
1. Разрешающая способность, определяемая количеством двоичных разрядов входного кода и характеризующаяся возможным количеством уровней аналогового сигнала.