2018-02-14
945
| Изделие предназначено для нанесения в вакууме покрытий на оптические детали методом электроннолучевого и резистивного испарения диэлектриков, полупроводников и металлов с одновременным контролем толщины покрытия в автоматическом режиме откачки и процесса напыления с управлением от встроенной автоматизированной системы управления (АСУ) на базе микро - ЭВМ "Электроника -60М" с цветным графическим дисплеем. Вакуумные установки обеспечивают возможность нанесения различных типов покрытий для различных областей спектра по заданной программе. |
Вакуумные установки должны эксплуатироваться на вакуумных участках и в лабораториях при температуре окружающего воздуха от 17 до 28 °С, относительной влажности от 40 до 75%, атмосферном давлении 8,4×104 - 10,6×104 Па (630 - 800 мм рт. ст.)
Установка состоит:
— откачной пост (с высоковакуумным и средствами откачки);
— форвакуумный агрегат;
— система фотометрического контроля толщины покрытия на базе СФКТ-801В и СФКТ-801У;
|
|
|
— арматура подколпачная;
— система управления исполнительными механизмами установки со стойкой управления.
| № п/п | Наименование параметра | Величина параметра по моделям изделий | |
| ВУ-800М | ВУ-800У | ||
| 1 | Величина давления в камере с чистой арматурой и без прогрева ее внутреннего объема с подачей жидкого азота, Па (мм рт.ст.) | 5×10-4 (37×10-7) | |
| 2 | Время достижения давления 5×10-4 Па в камере с момента открытия затвора, мин, не более | 30 | |
| 3 | Количество электронно-лучевых испарителей (ЭЛИ) | - | 2 |
| 4 | Максимальная мощность ЭЛИ, кВт | - | 12 ± 1,2 |
| 5 | Максимальная потребляемая мощность: резистивного испарителя, кВт многопозиционного испарителя, кВт | 4 ± 0,4 - | 4 ± 0,4 3,6 ± 0,36 |
| 6 | Температура нагрева подложек, °С | 50 - 320 | |
| 7 | Диапазон фотометрического контроля, мкм | 0,4 ¸ 0,8 | 0,25 ¸ 2,6 |
| 8 | Суммарная мощность, потребляемая вакуумной установкой, кВт, не более | 28 | 40 |
| 9 | Площадь, занимаемая установкой, м2, не более |
| |
| 10 | Масса установки, кг не более | 2700 | 3200 |
УСТАНОВКА ИОННО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ УРМЗ. 279.053
| В этой установке подложкодержатель совершает вращательное движение. Назначение установки: реактивное ионно-лучевое и ионно - лучевое травление металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок в производстве ППП и ИС. Тип используемого источника - "Радикал-2". Технические характеристики: Основные параметры источника: 1. Средняя энергия ионов, кэВ - 0,1—0,2 2. Ток ионного пучка, А - 1,0—2,5 |
Основные параметры установки
|
|
|
1. Режим работы автоматический, кроме загрузки/выгрузки, управление технологическим процессом от программатора.
2. Размер пластин - φ 80 мм;
3. Количество одновременно загружаемых пластин - 20 шт.
4. Производительность - 80 штук в час.
5. Неравномерность обработки ± (5-7) %
6. Средства откачки - диффузионный насос.
7. Рабочее давление 6×10-2 Па;
8. Предельное остаточное давление 1,3×10-4 Па;
9. Потребляемая мощность 10 кВА;
10. Габаритные размеры 1920 х 1905 х 1450,мм
11. Масса 1500 кг.
