2018-02-14
311
Тонкий слой на границе раздела двух примесных полупроводников с разным типом проводимости называется электронно-дырочным переходом или p – n переходом.
Если в кристалле полупроводника сформировать область, обладающую n - типом проводимости (ввести донорную примесь) и контактирующую с ней область с p – типом проводимости (ввести акцепторную примесь), то электроны из n - типа, где их концентрация высока, будут диффундировать в область р - типа, где их много меньше. Диффузия дырок будет происходить в обратном направлении, из р - типа в n - тип. Диффундируя во встречных направлениях через пограничный слой, электроны и дырки рекомбинируют друг с другом. Поэтому область p – n перехода оказывается сильно обедненной подвижными носителями заряда и приобретает большое сопротивление. В полупроводнике n - типа вследствие ухода электронов вблизи границы раздела остается не скомпенсированный положительный заряд ионизованных донорных атомов, а в полупроводнике р - типа из-за ухода дырок вблизи границы образуется отрицательный объемный заряд ионизованных акцепторов. Эти объемные заряды образуют двойной электрический слой шириной d, напряженность электрического поля которого направлено от n к р и препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок. Поле носит название поля контактной разности потенциалов. Этот контактный слой обладает высоким сопротивлением и называется запирающим.
Полупроводниковый диод и его
