Методика розрахунку дрейфового германієвого n-p-n транзистора

 

Як приклад розрахунку дрейфового германієвого  n-p-nтранзистора проведемо розрахунок дифузійного транзистора. Геометрична структура транзистора представлена на рисунку.

1. Розрахунок часу дифузії

а) Дифузійний сполучний шар

Цей шар утвориться в результаті дифузії сурми у вакуумі або водні.

Передбачається, що закон розподілу домішок у результаті дифузії визначається erfc функцією:

 

Тому що

2. Розрахунок дрейфового поля транзистора

Показник експоненти, що апроксимує розподіл домішок у базі, визначається як

 

3. Розрахунок α

4. Розрахунок опорів

 а) Опір емітера

б) Опір бази

в) Опір колектора

5. Розрахунок ємностей

а) Зарядна ємність колектора

б) Зарядна ємність емітера

 Вважаючи емітерний перехід різким, маємо:

 

6. Розрахунок граничних частот

а) Гранична частота, обумовлена ланцюгом емітера.

б) Гранична частота коефіцієнта передачі по струму, обумовлена механізмом переносу через базу

в) Гранична гранична частота f_α

г) Максимальна частота генерації

7. Розрахунок зворотних струмів колекторного переходу

а) Складової об'ємної рекомбінації

б) Складової поверхневої рекомбінації

в) Складової генерації в запірному шарі переходу

г) Повний струм

8. Розрахунок пробивних напруг

а) Напруга лавинного пробою колектора

б) Напруга, при якій α = 1

9. Максимальна температура колекторного переходу

Т_макс = 80° С.

10. Розрахунок теплового опору конструкції [3]