Фиксируем параметры режима покоя.
Рабочую точку выбираем примерно посередине между режимами отсечки и насыщения в точке пересечения нагрузочной прямой с ближайшей выходной характеристикой. Фиксируем параметры режима покоя: Uкэо=13,8 В, Uбэо=0,79 В, Iко=16,7 мА, Iбо=0,625 мА.
Для получения фиксированного напряжения смещения на базе транзистора применяется резисторный делитель напряжения, а конкретные значения величин R1 и R2 выбираются исходя из необходимой величины . Эта схема называется схемой стабилизации с фиксированным напряжением смещения базы. Выберите ток делителя IД, протекающий через R2, из условия IД = (10 - 20) IБ0 и определите величины сопротивлений резисторов R1, R2:
, .
,
Графически определяем малосигнальные параметры
Транзистора в окрестностях рабочей точки
Н-параметры по семейству входных и выходных характеристик:
- входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
- коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
|
|
- выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи);
- коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.
Для повышения точности расчетов приращения DIК, DIБ, DUБЭ, DUКЭ берем симметрично относительно рабочей точки транзистора в режиме покоя;