Травление двуокиси и нитрида кремния

Общее уравнение ПХТ SiO₂ по аналогии с (9.8) может быть записано в виде

                                   .                                 (9.11)

Существуют предположения, что кроме радикалов F^· в реакции участвуют и радикалы , образующиеся в газоразрядной плазме согласно (9.1). При взаимодействии с SiO₂ радикалы  создают летучие соединения (CF₃)₂O и моноокись кремния, которая в разряде CF₄ превращается в силоксан, в то время как в разряде фтора происходит ее восстановление до атомарного кремния, образующего кремнийорганическое соединение.

Для селективного травления SiO₂ используются газы с относительно малым содержанием радикалов фтора в плазме (например, C₂F₈). При этом скорости травления SiO₂ в 10 – 15 раз превышают скорости травления кремния и составляют (3 – 7) нм/с.

Пленки нитрида кремния, как и диоксид кремния, травятся во фторсодержащей плазме атомами, фторсодержащими радикалами с выделением SiF₄ и N₂ в газовую фазу. Скорость травления, как правило, меньше, чем кремния, и селективность S (Si/Si₃N₄) = 8 – 10. Положительное влияние на скорость травления нитрида оказывают добавки в плазмообразующий газ (CF₄, C₂F₆, C₃F₈) водорода или углеводородов (CH₄, C₂H₂, C₂H₄), приводящие к ускоренному образованию легколетучего продукта NH₃. При этом скорость травления нитрида резко увеличивается, а кремния уменьшается за счет образования полимерных пленок. В результате наблюдается обратная селективность – S (Si₃N₄/Si) = 35 – 100.