Характерный показатель | Годы | |||||||||||||||
1999 | 2000 | 2002 | 2004 | 2008 | 2011 | 2014 | 2016 | |||||||||
Минимальная длина канала (в МДП-структурах), нм* | 180 | 140 | 100 | 90 | 60 | 40 | 30 | 23 | ||||||||
Максимальное число слоев коммутации сигналов | 6 - 7 | 6 - 7 | 7 | 7 - 8 | 8 - 9 | 9 - 10 | 10 | 10 - 11 | ||||||||
Максимальный размер кристалла, мм2 | 340 | 360 | 430 | 520 | 620 | 790 | 790 | >1000 | ||||||||
Минимальный топологический размер, нм | 180 | 150 | 130 | 90 | 70 | 50 | 45 | <40 | ||||||||
Максимальное количество выводов кристалла | 615 | >615 | 1000 | >1000 | 1500 | >1500 | >1700 | >1800 | ||||||||
Максимальное число шаблонов для литографических процессов | 22 - 24 | 23 - 24 | 23 - 24 | 24 - 25 | 26 - 27 | 26 - 28 | 27 - 28 | >28 | ||||||||
Максимальное количество транзисторов в кристалле, ´106 | 9 - 28 | 42 - 60 | 80 - 100 | 125 - 175 | 200 - 250 | 300 - 380 | 500 - 700 | >700 | ||||||||
Максимальная тактовая частота, ГГц | 0,5 - 1,0 | 0,93 - 1,5 | 1,6 - 3,0 | 3,0 - 6,5 | 14 - 30 | 50 - 100 | 200 - 700 | >1000 | ||||||||
Максимальный объем кэш-памяти, Мбайт | 0,6 | 1,0 | 2,5 | 5,5 | 24 | 60 | 100 | >100 | ||||||||
Характерный показатель | Годы | |||||||||||||||
1999 | 2000 | 2002 | 2004 | 2008 | 2011 | 2014 | 2016 | |||||||||
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт* | 30 | 50 | 90 | 120 | 160 | 175 | 186 | >190 | ||||||||
Преимущественно используемый тип корпуса (или полукорпусированной конструкции) | Микро- PGA; PPGA; SPGA; PQFP; BGA | Микро- PGA; SPGA; FC - PG A; BGA; TCP | FC - PGA; BGA; μ BGA; CSP; TCP (TAB) | CSP TCP (TAB) | CSP | CSP | CSP TCP (TAB) (возможны варианты 2 D, 3 D) | CSP | ||||||||
* По данным http://www.sematech.org.or://public.itrs.net.