Рисунок 15 – Схема включения микросхем при измерении выходного

сопротивления RО

 

Значения напряжений на выходе ИМС представлены в таблице 1.4, где VO1 и VO2 – напряжения на выходе ИМС соответственно при разомкнутом и при замкнутом переключателе В2.

Таблица 1.4 – Значения VO1 и VO2, измеренные при VSS1 и VSS2

Напряжение питания

Напряжение на выходе

VO1, мВ VO2, мВ
VSS1 = 1,5 В 7,304 4,672
VSS2 = 2,0 В 7,364 4,732

 

Выходное сопротивление ИП определяется по формуле [5]

 

.(25)

 

Подставив в (25) значения VO1 и VO2, измеренные при VSS2 = 1,5 В

(таблица 1.4), получим

.(26)

 

Результаты измерений электрических параметров ИП представлены в таблице 1.5.

 

Таблица 1.5 – Результаты измерений электрических параметров ИМС

Параметр

AV

ISS, мкА

Ri, МОм

RО, кОм

Напряжение питания VSS1 = 1,5 В VSS2 = 2,0 В VSS1 = 1,5 В VSS2 = 2,0 В VSS1 = 1,5 В VSS2 = 2,0 В VSS1 = 1,5 В VSS2 = 2,0 В
Значение 0,730 0,736 30,76 31,28 20,87 21,70 1,97 1,95
Процентное изменение

+0,8 %

+1,7 %

+4,0 %

–1,0 %

 

Из таблицы 1.5 видно, что с увеличением напряжения питания от 1,5 до 2 В коэффициент передачи по напряжению, ток потребления возрастают соответственно на 0,8 и 1,7 %, полное входное сопротивление возрастает на 4 %, а выходное сопротивление уменьшается на 1 %.

Параметры ISS и AV, а также значения напряжений на выходе ИМС VO’ и VO”, измеренные по вышеуказанным методикам, требуются в дальнейшем для расчета параметров модели ПТУП.

 



Метод экстракции параметров модели ПТУП из измерений


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: