Параметры транзисторов IGBT

Тип	Длительный Ток*, А	Максимальный Ток*, А	Напряжение, В	Потери на переключение**, мДж	Термическое сопротивление кристалл-корпус,,	Прямое падение напряжения	Максимальная рассеиваемая мощность***, Вт	Тип корпуса
IRG4PH50UD	25	45	1200	6.38	0.64	2.78	78	TO-247
IRG4PH40UD	21	41	1200	7.04	0.77	2.43	65	TO-247
IRG4PH30KD	10	20	1200	1.56	1.2	3.10	42	TO-247
IRG4PH20KD	5	11	1200	0.89	2.1	3.17	24	TO-247
IRG4PC60UD	40	75	600	4.9	0.24	1.5	210	TO-247
IRG4PC50UD	27	55	600	2.3	0.64	1.65	78	TO-247
IRG4PC40UD	20	40	600	4.7	0.77	1.5	65	TO-247
IRG4PC30KD	16	34	600	1.18	1.2	2.21	42	TO-247
IGW15T120	15	30	1200	4.1	1.1	1.7	110	TO-247
IGW25N120H3	25	50	1200	43	0.46	2.05	156	TO-247
IGW75N65H5	75	120	650	4.0	0.38	1.65	198	TO-247
IGW60T120	60	100	1200	15,8	0,33	1,7	375	TO-247
IRG7PH28UD	15	30	1200	1.4	1.09	1.95	46	TO-247
IRG7PH35UD	20	50	1200	2,87	0,7	1.9	70	TO-247
IRG7PH37KD	25	45	1200	2,7	0,6	1,9	86	TO-247
IRG7PH42UD	45	85	1200	4,96	0,39	1,7	130	TO-247
IRG7PH46UD	40	108	1200	6,4	0,32	1,7	156	TO-247
IRG7PH50UD	50	140	1200	7,8	0,27	1,7	278	TO-247

*Номинальный ток транзистора

** При номинальном токе

*** По данным производителя кристалла транзистора

Параметры транзисторов MOSFET

Тип	Длительный Ток*, А	Максимальный Ток*, А	Напряжение, В	Термическое сопротивление кристалл-корпус,,	Сопротивление открытого канала транзистора, мОм	Максимальная рассеиваемая мощность***, Вт	Тип корпуса
IRFP2907Z	90	120	75	0,49	4,5	310	TO-247
IRFP3077	120	140	75	0,44	2,8	310	TO-247
IRFP4368	195	250	75	0,29	1,46	310	TO-247
IRFP4410Z	69	97	100	0,65	7,2	230	TO-247
IRFP4468	195	200	100	0,29	2,0	520	TO-247
IRFP4310Z	95	134	100	0,54	4,8	280	TO-247
IRFP4110	120	130	100	0,4	3,7	370	TO-247
IRFP4568	121	171	150	0,29	4,8	517	TO-247
IRFP4321	55	78	150	0,49	12	310	TO-247
IRFP4227	46	65	200	0,45	21	330	TO-247
IRFP4668	92	130	200	0,29	8	520	TO-247
IRFP4332	40	57	250	0,42	29	360	TO-247
IRFP4768	66	93	250	0,29	14,5	520	TO-247
IRFP4229	31	44	250	0.49	38	310	TO-247
IPW60R099	24	37	650	0.45	99	278	TO-247
IPW60R070	33.8	53.5	650	0.32	70	390	TO-247
IPW60R330	7.6	12.0	650	1.35	330	93	TO-247
IPW60R041P	49	77.5	650	0.26	41	481	TO-247

*Номинальный ток транзистора

** При номинальном токе

*** По данным производителя кристалла транзистора

Потери на переключение у MOSFET производителем не указаны из-за их малых значений.

Параметры некоторых современных диодов

Тип	Длительный Ток*, А	Максимальный Ток*, А	Напряжение, В	Термическое сопротивление кристалл-корпус,,	Прямое падение напряжения, В	Максимальная рассеиваемая мощность***, Вт	Тип корпуса
IDW100E60	96	150	600	0,4	1,65	198	TO-247
IDH20G120	20	27	1200	0,35	2,5	330	TO-220
IDW75D65	75	150	650	0,46	1,32	163	TO-247
IDW30E65	30	60	650	1,06	1,35	142	TO-247
IDW15E65	15	30	650	1,75	1,6	85	TO-247
IDP40E65	40	80	650	0,75	1,6	200	TO-247
IDP45E60	47	71	600	0,8	1,5	187	TO-247
IDH16G120	16	25	1200	0,46	2,25	250	TO-220
IDH08G120	8	22,8	1200	0,92	2,25	126	TO-220
IDH16G65	16	34	650	0,9	1,25	97	TO-220
IDH20G120	20	56	1200	0,35	2,0	330	TO-220
IDH10G120	10	31,9	1200	0,7	2	165	TO-220
IDP12E120	17	28	1200	1,3	1,7	96	TO-220
IDW50E60	50	80	600	0,8	1,65	187	TO-247
SDP04S60	4	5,6	600	4,1	1,7	36,5	TO-220
IDH12S60	12	18	600	1,3	1,7	115	TO-220