Таблица 1.6 Типоразмеры плат ГИС (размеры, мм)

№ типоразмера	Ширина	Длина	№ типоразмера	Ширина	Длина	№ типоразмера	Ширина	Длина	№ типоразмера	Ширина	Длина
1	96	120	6	20	24	11	5	6	16	8	10
2	60	96	7	16	20	12	2,5	4	17	24	60
3	48	60	8	12	16	13	16	60	18	15	48
4	30	48	9	10	16	14	32	60	19	20	45
5	24	30	10	10	12	15	8	15	_	_	_

 

При проектировании ГИС надо выполнять основные конструктивные и технологические  ограничения, приведённые в таблице 1.7. Так же следует выполнять общие правила и ограничения:

1. в одной микросхеме следует применять навесные компоненты с одинаковым диаметром и материалом гибких выводов;

2. навесные компоненты рекомендуется по возможности располагать рядами, параллельными сторонам платы;

3. не допускается установка навесных компонентов на плёночные конденсаторы, индуктивности;

4. не допускаются резкие изгибы и натяжения проволочных проводников.

Таблица 1.7 Конструктивно-технологические ограничения ГИС

Содержание ограничения	Размер ограничения, мм
Минимально допустимый размер резистора, мм                      b  l	0,1 0,3
Минимально допустимые расстояния между плёночными элементами, расположенными в одном слое	0,3
Максимально допустимые расстояния между плёночными элементами, расположенными в разных слоях	0,2
Перекрытия для совмещения плёночных элементов, расположенные в разных слоях	0,2
Минимальное расстояние от плёночных элементов до края платы	0,5
Минимальная ширина плёночных проводников	0,1
Минимально допустимое расстояние между краем плёночного резистора и краем его контактной площадки	0,2
Минимально допустимое расстояние: между краями диэлектрика и нижней обкладки конденсатора	0,1
Между краями верхней и нижней обкладок конденсатора	0,2
Между краем диэлектрика и соединением вывода конденсатора с другим плёночным элементом	0,3
Между краем диэлектрика и нижней обкладкой конденсатора в месте вывода верхней обкладки	0,2
От плёночного конденсатора до приклеиваемых навесных компонентов	0,5
Минимальная площадь перекрытия обкладок конденсатора	0,5*0,5
Минимальные расстояния от края навесного компонента, до: Края другого компонента	0,4
Края навесного пассивного компонента	0,6

 

Заключение

В ходе разработки курсового проекта сделано следующее:

1. выбран материал для подложки, резисторов и контактных площадок (выбор материалов был сделан в соответствии с приведёнными таблицами).

2. выбраны конструкции элементов и приведено описание методики их расчёта;

3. разработаны эскизы конструкций, приведены результаты расчётов топологических размеров элементов;

4. произведён расчёт площади платы, выбрана платы из таблицы типоразмеров плат ГИС.

В графической части приведены:

1. схема электрическая принципиальная (формат А3);

2. топологический чертёж (формат А1);

3. топологический чертёж резистивного слоя (формат А1);

В итоге курсового проекта была составлена документация, в заключение которой были перечислены источники используемой литературы.

 

Список использованных источников

Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем: учебник.
М.: Высшая школа,1984.-231с.

Николаев И.М. Интегральные микросхемы и основы их проектирования: учебник. М.: Радио и связь,1992.-424с.

Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем: учебник М.: Радио и связь,1991.-344с.