Принцип действия биполярных транзисторов

Принцип работы транзистора рассмотрим на примере структуры n-p-n. При работе транзистора в усилительном режиме эмиттерный переход открыт, а коллекторный - закрыт. Это достигается соответствую­щим включением источников питания.

aб

Так как эмиттерный переход открыт, то через него будет протекать ток эмиттера, вызванный переходом электронов из эмиттера в базу и переходом дырок из базы в эмиттер. Ток эмиттера будет иметь две составляющие - электронную и дырочную.

В базе электроны рекомбинируют, а их кон­центрация в базе пополняется от «+» источника Еэ, за счет чего в цепи базы будет протекать очень малый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под ускоряю­щим действием поля закрытого коллекторного перехода как неосновные носители будут пере­ходить в коллектор, образуя ток коллектора. Степень рекомбинации носителей зарядов в базе оценивается коэффициентом перехода носителей зарядов.

Основное соотношение токов в транзисторе: Iэ = Iк +I6

Дырки из коллектора как неосновные носители зарядов будут переходить в базу, образуя обратный ток коллектора Iкобр.