Таблица 7.3. Формы приконтактных областей полупроводниковых резисторов и номограммы для определения коэффициента k
Фотолитография
Процессы легирования, а также наращивания слоев различных материалов призваны сформировать вертикальную физическую структуру ИМС. Необходимые форма и размеры элементов и областей в каждом слое структуры обеспечиваются процессом фотолитографии.
Фотолитография — процесс избирательного травления поверхностного слоя с использованием защитной фотомаски.
Топология приконтактных областей полупроводниковых резисторов | Номограммы для определения коэффициента k |
Рис. 7.15. Укрупненная схема процесса фотолитографии
На рис. 7.15 приведена укрупненная структурная схема процесса фотолитографии. Отдельные этапы на схеме включают несколько операций. Ниже в качестве примера приведено описание основных операций при избирательном травлении оксида кремния (SiO2), которое используется многократно для создания окон под избирательное легирование, а также контактных окон.
|
|
Подготовка поверхности к нанесению фотослоя заключается в ее обработке парами органического растворителя для растворения жировых пленок, которые препятствуют последующему сцеплению фоторезиста с поверхностью. Отмывка сверхчистой (деионизованой) водой удаляет следы растворителя, а также микрочастицы, способные впоследствии образовать «проколы» в тонком («1 мкм) слое фоторезиста.