Полупроводниковые стабилитроны. – “опорные диоды” - предназначены для стабилизации напряжений

– “опорные диоды” - предназначены для стабилизации напряжений. Их работа основана на использовании электрического пробоя p-n перехода при включении в обратном направлении.

Механизм пробоя:

· туннельный - у низковольтных, с низкоомной базой;

· лавинный - у высоковольтных, с высокоомной базой.

Электрический пробой не переходит в тепловой.

Основные параметры:

· напряжение стабилизации U_ст – падение напряжения на стабилитроне при заданном токе стабилитрона;

· максимальный ток стабилитрона I_ст.max;

· минимальный ток стабилитрона I_ст.min;

· дифференциальное сопротивление на участке пробоя:

;

· температурный коэффициент напряжения стабилизации a_cm:

Применяются в схеме параметрического стабилизатора напряжения параллельного типа: приращение напряжения питания D U₁ падает на балластном резисторе R_б, а выходное U₂ остаётся неизменным.

Расчет коэффициента К_ст:

Если U₁ изменится на DU₁, то U₂ изменится на DU₂. Токи изменятся на

DI₁= DI_ст+ DI_н

(DU₁ - DU₂)/R_б= DU₂ / r_ст.диф + D U₂ /R_н.

DU₁ / D U₂ =R_б / r_ст.диф +R_б/R_н +1.

К_ст = U₂/U₁(R_б / r_ст.диф +R_б/R_н +1)

Пробойный режим не связан с инжекцией носителей и при переходе из области пробоя в область запирания и обратно нет инерционных явлений, связанных с накоплением или рассасыванием. Поэтому стабилитроны используют в импульсных схемах – фиксаторы уровня, ограничители.