Свойства минизон
1. При повышении толщины барьерных слоев их туннельная прозрачность уменьшается, минизоны сужаются (→0) и превращаются в дискретные уровни одиночной квантовой ямы.
2. В противоположном случае сужаются все запрещенные минизоны и сверхрешетка переходит в структуру обычного однородного полупроводника.
Двухбарьерная структура – структура с вертикальным переносом, образованная двумя потенциальными барьерами с квантовой ямой, раположенной между ними.
где k- волновой вектор электрона в квантовой яме;
kL – запаздывание по фазе для волны в квантовой яме;
D1 и D2 – коэффициенты прозрачности первого и второго барьеров;
R1 и R2 – коэффициенты отражения первого и второго барьеров.
Поведение электрона в двухбарьерной системе
1. электрон надолго задерживается в квантовой яме;
2. в квантовой яме электрон испытывает многократное отражение от стенок барьера;
3. если энергия электрона равна дискретному уровню квантовой ямы, то вероятность туннелирования электронов через двухбарьерную систему велика.
|
|
Главные приборные применения квантовых ям в НЭ:
1. Высокочастотные транзисторы с высокой подвижностью электронов (нанотранзисторы).
2. Полупроводниковые гетеролазеры и светодиоды со спектром от ближайшего ИК до голубого света.
3. Лазеры дальнего ИК диапазона.
4. Фотоприемники среднего ИК диапазона.
5. Примесные фотоприемники дальнего ИК диапазона.
6. Модуляторы ближнего ИК диапазона.