Особенности микросхем диапазона СВЧ

Основы применения ИМС

Полупроводниковые (монолитные) интегральные схемы

Гибридные интегральные схемы

Основные положения, принципы и направления микроэлектроники

План курса

Заключение.

В работе инженеров, конструкторов, руководителей производства много времени отводится изучению, анализу и составлению различной документации. Особенно большие трудности возникают, как правило, при разработке производственных документов, что обусловлено в первую очередь недостатком специальных знаний у составителей.

Устранение непроизводительных затрат времени в процессах составления и использования документов требует разумного сочетания формализации и творчества, а это, по мнению авторов, требуют, с одной стороны, ознакомления составителей документов с наиболее общими законами восприятия документов, с другой- и в этом главная задача - формулирование и систематизации общих правил и норм составления основных документов.

Индивидуальные положения разрабатываются на основе типовых. Типовые положения,как правило, утверждаются вышестоящими органами управления, а индивидуальные- руководителями предприятий и организаций.

1.1 Этапы миниатюризации элементов электронной аппаратуры

1.2 Терминология по микроэлектронике

1.3 Классификация и общая характеристика изделий микроэлектроники

2.1 Конструктивные особенности тонкопленочных и толстопленочных ГИС

2.2 Методы получения толстых пленок

2.3 Методы получения тонких пленок

2.4 Методы получения конфигураций тонкопленочных структур

2.5 Ограничения, накладываемые тонкопленочной технологией

2.6 Реализация и основные параметры пленочных резисторов

2.7 Реализация и основные параметры пленочных конденсаторов

2.8 Реализация и основные параметры индуктивностей

2.9 Монтаж навесных компонентов ГИС

2.10. Основные принципы разработки и этапы проектирования ГИС.

3.1 Типовые структуры монолитных ИС

3.2 Реализация и основные параметры диодов

3.3 Реализация и основные параметры резисторов

3.4 Реализация и основные параметры конденсаторов

3.5 Разновидности транзисторных структур для построения ИС

3.6 Планарно-эпитаксиальные транзисторы

3.7 Биполярные транзисторы с барьером Шотки

3.8 Транзисторные структуры с инжекционным питанием

3.8 Многоэмиттерные транзисторы

3.9 Транзисторы на основе структуры МДП и КМДП

Корпуса ИМС

Требования по монтажу ИМС

ГИС СВЧ на сосредоточенных элементах

Распределенные элементы ГИС СВЧ

Монолитные микросхемы СВЧ

Объемные интегральные схемы СВЧ


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: