Основы применения ИМС
Полупроводниковые (монолитные) интегральные схемы
Гибридные интегральные схемы
Основные положения, принципы и направления микроэлектроники
План курса
Заключение.
В работе инженеров, конструкторов, руководителей производства много времени отводится изучению, анализу и составлению различной документации. Особенно большие трудности возникают, как правило, при разработке производственных документов, что обусловлено в первую очередь недостатком специальных знаний у составителей.
Устранение непроизводительных затрат времени в процессах составления и использования документов требует разумного сочетания формализации и творчества, а это, по мнению авторов, требуют, с одной стороны, ознакомления составителей документов с наиболее общими законами восприятия документов, с другой- и в этом главная задача - формулирование и систематизации общих правил и норм составления основных документов.
|
|
Индивидуальные положения разрабатываются на основе типовых. Типовые положения,как правило, утверждаются вышестоящими органами управления, а индивидуальные- руководителями предприятий и организаций.
1.1 Этапы миниатюризации элементов электронной аппаратуры
1.2 Терминология по микроэлектронике
1.3 Классификация и общая характеристика изделий микроэлектроники
2.1 Конструктивные особенности тонкопленочных и толстопленочных ГИС
2.2 Методы получения толстых пленок
2.3 Методы получения тонких пленок
2.4 Методы получения конфигураций тонкопленочных структур
2.5 Ограничения, накладываемые тонкопленочной технологией
2.6 Реализация и основные параметры пленочных резисторов
2.7 Реализация и основные параметры пленочных конденсаторов
2.8 Реализация и основные параметры индуктивностей
2.9 Монтаж навесных компонентов ГИС
2.10. Основные принципы разработки и этапы проектирования ГИС.
3.1 Типовые структуры монолитных ИС
3.2 Реализация и основные параметры диодов
3.3 Реализация и основные параметры резисторов
3.4 Реализация и основные параметры конденсаторов
3.5 Разновидности транзисторных структур для построения ИС
3.6 Планарно-эпитаксиальные транзисторы
3.7 Биполярные транзисторы с барьером Шотки
3.8 Транзисторные структуры с инжекционным питанием
3.8 Многоэмиттерные транзисторы
3.9 Транзисторы на основе структуры МДП и КМДП
Корпуса ИМС
Требования по монтажу ИМС
ГИС СВЧ на сосредоточенных элементах
Распределенные элементы ГИС СВЧ
Монолитные микросхемы СВЧ
Объемные интегральные схемы СВЧ