Основные параметры физической схемы замещения

Схема замещения биполярного

транзистора (эквивалентная схема)

1) Формальная схема замещения. Транзистор считается линейным четырехполюсником, для описания свойств которого используют одну из шести пар основных уравнений четырехполюсника.

Уравнения с h-параметрами.

U₁ = h₁₁ I₁ + h₁₂ U₂ (1)

I₂ = h₂₁ I₁ + h₂₂ U₂ (2)

(входное сопротивление четырехполюсника)

(коэф-т передачи обратной связи по напряжению)

(коэф-т передачи по току)

(выходная проводимость в режиме холостого хода во входе)

h-параметры определяются по входным и выходным ВАХ транзистора.

Физическая схема замещения

транзистора с ОЭ:

r_э,c_э- элементы, отвечающие за свойства ЭП, который обычно смещен в прямом направлении, а потому: r_э=φ_т/I_{э рт}.

c_э- диффузионная емкость.

r_б- объемное сопротивление области базы.

r_к,c_к- элементы, отвечающие за свойства КП, который обычно смещен в обратном направлении.

r_к- учитывает наклон пологой части ВАХ.(10⁵-10⁶ом)

c_к- барьерная емкость.(c_к<<c_э)