Консультации

При возникновении затруднений в изучении теоретической части курса следует обращаться за консультацией к преподавателю в университет. При этом необходимо точно указать вопрос, вызывающий затруднения, место в учебнике, где он разбирается.

ЗАЧЕТ

Студенты сдают зачет после выполнения лабораторных работ. При сдаче зачета студент предъявляет лабораторный журнал с пометкой преподавателя о выполнении работ, предусмотренных планом. Для сдачи зачета необходимо изложить ход лабораторной работы, объяснить экспериментальные результаты.

ЭКЗАМЕН

К сдаче экзамена по основам технологии электронной компонентной базы допускаются студенты, имеющие одну зачтенную контрольную работу и зачет по практическим занятиям.

САМОСТОЯТЕЛЬНОЕ ИЗУЧЕНИЕ

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ИЗУЧЕНИЮ КУРСА

«ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ»

Основной материал курса изложен в приведенной выше литературе. По каждой теме приводятся ссылки с указанием страниц, где излагается данная тема. Номер учебника, указанный в квадратных скобках, соответствует его номеру в списке литературы. Далее приводятся вопросы для самопроверки, на которые следует отвечать после изучения каждой темы.

ВВЕДЕНИЕ

Литература: [1], с. 3 - 7;

[3], с. 3 - 5;

[5], с. 9 - 17;

[9], с. 5 - 6;

[10], с. 5 - 7;

[11], с. 5 - 6;

[12], с. 5 - 6;

[13], с. 6 - 8;

[14], с. 5 - 10.

ТЕМА 1. КЛАССИФИКАЦИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Литература: [3], c. 6 - 13;

[5], с. 214 - 237;

[9], с. 13 - 22;

[14], с. 148, 257.

Вопросы для самопроверки

1. Что такое интегральная схема?

2. В чем состоят основные преимущества приборов, выполненных на ИС, по сравнению с приборами, выполненными на дискретных схемах?

3. Поясните смысл понятия «микроэлектроника».

4. Дайте классификацию ИС.

5. Какие сложности возникают при применении полупроводниковых ИС?

6. Что такое совмещенная ИС?

7. Как характеризуется функциональная сложность ИС?

8. Как характеризуют уровень технологии изготовления ИС?

9. Дайте определение понятия «биполярная ИС».

10. Дайте определение МДП ИС.

11. Что такое гибридная ИС?

12. Каким образом в ИС достигается высокая надежность?

13. Каковы особенности схемотехнических решений в микроэлектронике?

14. Что называют функциональной сложностью ИС?

15. Перечислите три главных аспекта развития микроэлектроники и покажите связь между ними.

16. В чем сущность группового метода производства?

17. Что достигается увеличением размера кристалла и пластины?

18. В чем заключаются недостатки планарной технологии?

ТЕМА 2. ПАССИВНЫЕ И АКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Литература: [1], c. 70 - 98, 124 - 148.

[3], c. 64 - 114,

[5], с. 235 - 237, 243 - 264, 273 - 295,136 - 169, 177 - 205;

[9], с. 18 - 20;

[14], с. 148, 216 - 274.

Вопросы для самопроверки

1. Дайте определение элементам интегральных схем.

2. Какие основные методы изоляции элементов вы знаете?

3. В чем их принципиальные достоинства и недостатки?

4. В каком направлении продолжается прогресс в разработке методов изоляции элементов?

5. Нарисуйте конфигурацию и назовите характер и параметры распределения примесей в транзисторной n-р-n -структуре.

6. Почему пробивное напряжение коллекторного перехода n-р-n- транзистора больше эмиттерного?

7. Нарисуйте структуру интегрального n-р-n- (р-n-р)-транзистора и укажите на ней все паразитные параметры. Какими из этих параметров ограничивается время переключения интегральных транзисторов?

8. Какие разновидности интегральных биполярных транзисторов вы знаете?

9. Чем определяется проблематика создания сверхтонкой базы биполярных транзисторов?

10. Перечислите основные операции создания структур биполярных транзисторов.

11. Нарисуйте несколько вариантов диодного включения транзисторов.

12. Чем отличаются структуры полевого и МДП-транзисторов?

13. Нарисуйте структуру комплементарной пары МОП-транзисторов.