2015-01-30
292
Для изготовления кремниевого транзистора типа n - р - n используется планарно – диффузионная технология без скрытого слоя. Какие операции необходимо выполнить в рамках данного технологического цикла? Перечислите по крайней мере пять последовательных этапов. Кремниевая пластина р -тина имеет толщину 0,127 – 0,152 мм и удельное сопротивление 10 Ом·см. Толщина эпитакеиального слоя 0,025 мм, толщина оксидного слоя 50 нм.
Решение:
1. Исходное состояние.
2. Эпитаксиальное наращивание слоя n -типа с удельным сопротивлением 0,5 Ом·см толщиной 0,254 мм.
3. Наращивание слоя SiO2 толщиной 500 нм на эпитаксиальный слой.
4. Наложение фоторезиста, маскирование и вытравливание окон в слое.
5. Легирование акцепторной примесью путем диффузии атомов бора.
6. Наращивание слоя SiO2.
7. Повторение операции 4 для подготовки базовой области.
8. Диффузия бора в базовую область.
9. Наращивание слоя.
10. Повторение операции 4 для подготовки областей эмиттера и коллектора.
11. Диффузия донорной примеси.
12. Наращивание слоя SiO2.
13. Повторение операции 4 для создания окон пол контактные площадки.
14. Металлизация всей поверхности путем вакуумного распыления алюминия.
15. Повторение операции 4 для создания межсоединений. Удаление излишков алюминиевого слоя.
16. Контроль функционирования.
17. Помещение в корпус.
18. Выходной контроль.
