ПРОЦЕССЫ ПЕРЕНОСА В НАНОСТРУКТУРАХ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
План лекции
1.1. Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
Продольный перенос в наноструктурах в электрическом поле.
Электронный перенос в двумерных квантовых гетероструктурах, направленный параллельно потенциальным барьерам на поверхности раздела, может рассматриваться в рамках полуклассического подхода, подобно тому, который используется для описания объемных объектов. Разумеется, мы должны учесть дополнительные механизмы рассеяния электронов (например, рассеяние на «шероховатостях» поверхности раздела), а также особенности низкоразмерных систем, изучение продольного переноса в наноструктурах началось с измерений электронной проводимости вдоль канала полевых МОП-структур. Эти исследования завершились большим успехом, и по их результатам в 70-х годах было начато промышленное производство полевых МОП-транзисторов, основу которых составляют модулированно-легированные квантовые гетероструктуры. Электроны в таких структурах двигаются в области, свободной от заряженных атомов примесей, вследствие чего их подвижность значительно повышается.
|
|
Механизмы рассеяния электронов
Основные механизмы рассеяния электронов при продольном переносе в полупроводниковых наноструктурах связаны, как и в объемных образцах, с фононами и атомами примесей (заряженными или нейтральными). Кроме того, возникают и дополнительные механизмы, специфические именно для наноструктур (например, упомянутое выше рассеяние на «шероховатостях» поверхности раздела). Ниже все эти механизмы рассматриваются отдельно.