Сущность электронно-лучевого нагрева заключается в том, что кинетическая энергия потока электронов при бомбардировке ими поверхности нагреваемого материала превращается в тепловую, нагревая последний.
На основании закона сохранения энергии кинетическая энергия электрона равна величине работы сил энергетического поля, совершенной при перенесении заряда:
W = mv2/2 = efU,
где е — заряд электрона, равный 1,602•10-19 Кл; U — ускоряющее напряжение,. В; W — кинетическая энергия электрона, Дж; т — масса покоя электрона, равна 9,11•10-31 кг; v— скорость электрона, м/с, откуда м/с; при U= 10 кВ v=6•104 км/с, а при U=40 кВ v=I,2•105 км/с.
Устройство для получения потока электрона, ускорения их, концентрирования в пучок, направляемый в рабочее пространство, где электрическое поле отсутствует, называют электронной пушкой. Схема электронной пушки показана на рис ниже.
Схема расположения электродов электронной пушки
Электронная пушка представляет собой трехэлектронную систему, состоящую из вольфрамового катода 1, кольцевого анода 4 и управляющего электрода 2. Электроны, эммитируемые с нагреваемого катода, формируются в луч 3, который ускоряется за счет разности потенциалов между катодом и анодом (10— 50 кВ). Регулирование потока электронов (электронного луча) производится управляющим электродом изменением отрицательного потенциала по отношению к катоду. В объеме, где размещается электронная пушка, создается вакуум 10-3—10-s Па. Эмиссия электронов с катода ограничивается объемным зарядом электронов.
|
|
Для управления электронным лучом, выходящим из электронной пушки, используют фокусирующую и отклоняющую системы, с помощью которых соответственно изменяют сечение потока (пучка) электронов и направляют его под заданным углом на обрабатываемое изделие.
Можно отметить следующие положительные свойства электронно-лучевого нагрева: высокую удельную мощность, безынерционность, отсутствие загрязнения обрабатываемого изделия.
Параметры электронного луча: К ним относятся ток электронного луча ie, ускоряющее напряжение Uy, удельная мощность q и мощность электронного луча We.
Мощность электронного луча
We = ieUу
Если электронный луч фокусируется в пятно с диаметром d, то его удельная мощность
q = 4i eUY / (πd2).
Удельная мощность является одним из главных параметров электронного пучка и может составлять от 107 до 1012 Вт/м2. При испарении вещества электронным пучком в непрерывном режиме используется удельная мощность около 107—109 Вт/м2. Распределение плотности тока в сечении электронного луча, подчиняется закону Гаусса:
где.rл — текущий радиус электронного луча; rн — нормальный радиус электронного луча (соответствующий плотности тока jmах/е, здесь e=2,7l; jmax — максимальная плотность тока электронного луча).
|
|
Максимальная плотность анодного тока
где me —масса электрона; eо — диэлектрическая проницаемость; L — расстояние между электродами.
Ток в электронном пучке I зависит от ускоряющего напряжения U: I=PU3/2, где Р — полная проводимость системы катод — анод, которая зависит от формы электродов, геометрии пушки. Эта величина носит название первианса. Для пушки с кольцевым катодом первианс обычно равен 10-5 А/В3/2.
Для получения заданного отклонения и фокусировки электронного луча изменяют геометрию полюсных наконечников магнита и подбирают необходимое соотношение между напряженностью магнитного поля и ускоряющим напряжением электронной пушки. Если напряженность магнитного поля в некоторой точке известна, то радиус электронов
где В — магнитная индукция.
Удельные мощности свыше 109 Вт/м2 используют главным образом при импульсном режиме работы или со сканированием пучка электронов по нагреваемой поверхности материала.
Для выбора параметров электронного луча необходимо оценить тепловой баланс и глубину проникания электронов вглубь обрабатываемого изделия. Уравнение теплового баланса электронного луча можно записать в виде
We=WTM+WПЛ+WИСП+WВЭ+WP
где We —- энергия, подводимая электронным лучом к испаряемому материалу; WTM — потери энергии за счет теплопроводности материала; WПЛ — расход энергии на плавление материала; WИСП — расход энергии на испарение материала; WВЭ — энергия, уносимая вторичными электронами; Wp — энергия на рентгеновское излучение.
При удельной мощности энергии электронного луча W≈(107—10») Вт/м2; WИСП ≤(2— 10) %; WПЛ ≤(30—35)%; остальная мощность расходуется за счет теплопроводности и уноса энергии электронами, эммитируемыми из зоны нагрева. Величину ускоряющего напряжения выбирают, исходя из значений удельной мощности q и мощности электронного луча W.
Соударения электронов со связанными электронами обрабатываемого металла могут привести к их переходу на более удаленную орбиту с последующим возвращением на прежнее место и излучением при этом кванта электромагнитной энергии, частота которой лежит в области рентгеновского излучения.
Электроны пучка при прохождении в твердом теле могут сталкиваться со свободными электронами вещества. При этом электронам сообщается энергия, часто достаточная для выхода в вакуум. Происходит вторичная эмиссия электронов, на что затрачивается часть энергии электронов.
При взаимодействии пучка электронов с обрабатываемым изделием у его поверхности может образоваться слой с повышенным давлением паров материала. Электроны, проходя через этот слой, соударяются с молекулами пара и ионизируют их, затрачивая часть энергии.
Расчеты показывают, что потери, обусловленные лучеиспусканием, рентгеновским излучением, вторичными электронами и термоэлектронами, составляют менее 3%,.а основная доля теряемой энергииуносится отраженными электронами, количество которых определяется коэффициентомотражения Ү, зависящим от атомного номера элемента z.
При бомбардировке поверхности часть электронов проникает внутрь вещества, вступая с ним во взаимодействие. В результате происходит их торможение На глубине нескольких микрометров. Глубину проникновения электронов можно рассчитать по формуле
где а — постоянная величина; А — атомная масса; z — атомный номер; р — плотность, г/см3, U — напряжение, кВ.
При величине ускоряющего напряжения 100 кВ глубины проникновения электронов в алюминий и вольфрам соответственно составляют 87 и 12 мкм.
Расчеты показывают, что температура поверхности нагреваемого вещества уменьшается с увеличением энергии электронов вследствие большого выделения тепла в глубине тела.
|
|
В табл. приведены значения температур центральной зоны поверхности некоторых металлов, нагреваемых электронным лучом с различной энергией электронов при q=10!0 Вт/м2.