Конструкция
Рассмотрим транзистор с управляющим p-n- переходом, n- канальный. Конструктивно такой транзистор представляет собой пластинку полупроводника n- типа с двумя p-n- переходами и тремя выводами (рисунок 1.40). Электрод, от которого начинают движение носители заряда, называется истоком (И), а электрод, к которому они движутся – стоком (С).
Рисунок 1.40 – Конструкция транзистора с управляющим p-n -переходом |
Принцип работы
Принцип работы сводится к тому, что при изменении U зи изменяется ширина p-n- переходов, которые представляют собой участки полупроводника, обедненные носителями заряда. Т.к. p- слой имеет большую концентрацию примесей, чем n- слой, то изменение ширины переходов происходит в основном за счет более высокоомного n- слоя (эффект модуляции ширины базы). Тем самым изменяется сечение токопроводящего канала и его проводимость, т. е. выходной ток I c (рисунок 1.41).
|
|
Особенностью полевого транзистора является то, что на проводимость канала оказывает влияние как управляющее напряжение U зи, так и напряжение U cи.
При U cи > 0 через канал протекает I c, в результате чего создается падение напряжения, возрастающее в направлении стока. Потенциалы точек канала n- типа будут неодинаковы по его длине, возрастая в направлении стока от 0 до U cи. Повышение U cи вызывает дальнейшее увеличение падения напряжения в канале и уменьшение его сечения, т. е. проводимости. При некотором U си происходит смыкание границ p-n- переходов и сопротивление канала становится высоким.