Отчет о НИР: 379 с., 5 рис., 2 табл., 2 приложения, 18 источников.
Объект исследования - пластины кремния, на которых изготовлены фотопреобразователи.
Цель работы - определение влияния структурных дефектов в кремнии на электрические характеристики фото-преобразователей и поиск оптимальной методики исследования р-п переходов.
Метод исследования - статистический анализ электрических характеристик.
Дефекты, наиболее сильно ухудшающие к.п.д. фотопреобразователей, следующие: включения второй фазы, дефекты упаковки, дислокации с плотностью, превышающей 1,5·10-4 г/см3. Установлено, что пластины фотопреобразователей с высоким значением к.п.д. имеют хорошую структуру: показано, что примесные облака и преципитаты не оказывают такого вредного влияния на электрические свойства фотопреобразователей; установлено, что выделения второй фазы, дефекты упаковки, сильное загрязнение кремниевых пластин неконтролируемыми примесями ухудшают электрические характеристики фотопреобразователей; показано, что визуализация р-п переходов может быть осуществлена в режиме вторичной электронной эмиссии; предложена оптимальная методика использования растрового электронного микроскопа для визуализации р-п перехода, его профиля, структурных дефектов.
Результаты НИР внедрены в технологии производства кремниевых пластин, используемых в солнечных батареях.
КРЕМНИЙ, ПЛАСТИНЫ, ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ, ДЕФЕКТЫ, ВИЗУАЛИЗАЦИЯ р-п ПЕРЕХОДА.
Условия получения отчета: по договору. 252171, Киев-171, ул. Горького, 180, УкрИНТЭИ.
Б.2 Реферат к отчету по УИРС