П.2. Свойства полупроводников
Наименование параметра
| Ge
| Si
| GaAs
|
Атомный номер
|
|
|
|
Атомная масса
| 72,59
| 28,08
| 72,32
|
Кристаллическая структура
| решетка
типа алмаза
| решетка
типа алмаза
| решетка
типа цинк.
обманки
|
Постоянная решетки, нм
| 0,566
| 0,543
| 0,563
|
Концентрация атомов, 1028 м-3
| 4,42
| 4,99
| 1,3
|
Плотность (при 25°С), 103 кг м-3
| 5,32
| 2,33
| 5,3
|
Твердость по шкале Мооса
| 6,25
|
| -
|
Относительная диэлектрическая проницаемость
|
|
| 11,1
|
Показатель преломления
| 4,1
| 3,42
| 3,4
|
Работа выхода, эВ
| 4,78
| 4,8
| -
|
Термическая ширина запрещенной зоны, эВ
экстраполированная к 0К
при 300К
|
0,74
0,67
|
1,21
1,12
|
1,52
1,43
|
Температура плавления, ºС
|
|
| -
|
Температура кипения, ºС
|
|
| -
|
Теплоемкость (при 300К) Дж/(моль К)
| 22,919
| 19,483
| -
|
Линейный коэффициент теплового расширения, 10-6 К-1
| 6,1
| 4,2
|
|
Теплопроводность, Вт/м (25ºС)
| 58,6
| 83,7
| -
|
Подвижность (при 300 К)
дырок, см2/(Вс)
электронов, см2/(Вс)
|
|
|
|
Коэффициент диффузии (300 К)
электронов, см2/с
дырок, см2/с
|
|
|
|
Критическая напряженность поля
для электронов, В/см
для дырок, В/см
|
|
|
-
-
|
Критическая скорость
электронов, 104 м/с
дырок, 104 м/с
|
3,2
2,4
|
3,3
2,8
|
-
-
|
Удельное сопротивление собственного полупроводника (300 K), Ом∙см
|
| 2,3·105
| -
|
Относительная эффективная масса
электронов
дырок
|
0,12
0,28
|
0,26
0,49
|
0,043
0,68
|
Концентрация собственных носителей заряда каждого знака (300 К)
| 2,5·1013
| 1,5·1010
| -
|