2015-02-14
454
Основными технологическими операциями сборки полупроводниковых ИМС являются: разделение пластин на кристаллы, монтаж кристаллов, подсоединение электродных выводов, герметизация.
После автоматического контроля электрических параметров готовых структур ИМС пластины разделяют на кристаллы. Для этого пластины помещают на липкие эластичные ленты и разделяют не на всю толщину, а резкой или скрайбированием наносят механически ослабляющие материал риски (царапины). На этой же ленте выполняют разламывание пластин на кристаллы, гидромеханическую очистку от загрязнений деионизованной водой, сушку, визуальный контроль. В процессе визуального контроля отсортировывают отмеченные маркерной краской забракованные по электрическим параметрам кристаллы, а также кристаллы с механическими повреждениями, отслаиваниями пленок, остатками фоторезиста и др.
При равномерном растяжении эластичной ленты кристаллы раздвигаются, что делает удобным их захват инструментом для перемещения на следующую операцию - монтаж кристаллов, т.е. подсоединение к основанию корпуса.
|
|
|
Для разделения пластин применяют:
1) резку дисками с внешней режущей кромкой;
2) резку стальными полотнами;
3) резку проволокой;
4) скрайбирование алмазным резцом;
5) лазерное разделение.
В промышленном производстве применяется в основном резка дисками с внешней режущей кромкой. Она высокопроизводительна, позволяет разделять толстые, а следовательно большого диаметра, пластины, а также диэлектрические подложки, обеспечивает воспроизводимые размеры и форму кристаллов со строго вертикальными боковыми гранями, а также большой выход годных структур, достигающий 98-100 %
