Проводимость собственного полупроводника, обусловленную парными носителями теплового происхождения, называют собственной.
Проводимость, обусловленную наличием примесных атомов, нарушающих структуру кристаллической решетки, называют примесной. Заметим, что слово примесь не всегда следует понимать буквально. В ряде случаев такие же последствия, как наличие примесных атомов, могут вызвать различные дефекты решетки: избыток одного из основных компонентов вещества (например, кислорода в закиси меди), смещение узлов решетки и др. Поэтому более точен общий термин – дефектная проводимость.
Свободные электроны примесного происхождения добавляются к свободным электронам, порожденным термогенерацией, поэтому проводимость полупроводника делается преимущественно электронной. Такие полупроводники называются электронными или типа – n. Примеси, обуславливающие электронную проводимость, называются донорными. Донорами по отношению к кремнию и германию могут быть сурьма, мышьяк и некоторые другие элементы.
Однако если ввести в кремний атом трехвалентного бора, результат будет иным. Электрон, отобранный из основной решетки, превращает атом бора в неподвижный отрицательный ион. На том месте, откуда пришел электрон, образуется свободная дырка, которая добавляется к собственным дыркам, порожденным термогенерацией. Такие полупроводники (с преимущественно дырочной проводимостью) называются дырочными или типа – p.