Устройство и типы биполярных транзисторов

Биполярный транзистор (трехэлектродный полупроводниковый прибор) обычно представляет собой монокристалл гер­мания или кремния, в котором созданы два встречно расположенных p-n перехода. Структура и эквивалентные электрические схемы плоскостных биполярных транзисторов приведены на рис.4.

Транзистор состоит из эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К). В плоскостном транзисторе база, являющаяся средней частью, по харак­теру проводимости отличается от крайних частей (эмиттера и коллек­тора). Первый p-n переход (ЭБ) называется эмиттерным, а второй (БК) – коллекторным. Эмиттер играет роль, аналогичную роли катода в элек­тронной лампе, коллектор – анода, а база – управляющей сетки. Для подключения транзистора имеется три вывода. Источники питания при­соединяются к транзистору таким образом, чтобы эмиттерный переход включался в прямом (пропускном) направлении, а коллектор – в обрат­ном (запорном) (рис.5). Толщина базы составляет порядка 40-50 мкм, эмиттерная область легирована достаточно сильно, поскольку концентрация основных носи­телей в эмиттере должна быть во много раз выше, чем в базе.