Вольтамперная характеристика p-n перехода

Вольтамперная характеристика показывает зависимость тока от проложенного напряжения. , где - обратный ток насыщения p-n перехода, - напряжение, - постоянная Больцмана Т⁰- температура.

При увеличении обратного напряжения происходит пробой p-n перехода. Различаются два вида прибоя электрический (обратимый) и тепловой (необратимый).

Рис. 10

Электрический прибой происходит в результате внутренней электростатической эмиссии и ударной ионизации атомов полупроводника (лавинный пробой).

Тепловой прибой связан с вырыванием электронов из ковалентных связей за счет тепловых колебаний кристаллической решетки. Тепловая генерация приводит к увеличению обратного тока. Увеличение тока приводит к дальнейшему повышению температуры полупроводника.

При чрезмерном нагреве перехода происходит изменение структуры кристалла и выхода его из строя. Если же при возникновении пробоя ток через p-n переход ограничен сопротивлением внешней цепи и мощность, выделяющая на переходе, невелика, то пробой обратим. В этом случае можно управлять обратным током путем изменения внешнего напряжения.

Анализ вольтамперной характеристики позволяет рассматривать переход как нелинейный элемент.

Сущность электростатической эмиссии заключается в том, что под действием сильного электрического поля электроны могут освобождаться из ковалентных связей и преодолеть не потенциальный барьер. Двигаясь с большей скоростью на участке p-n перехода, электроны сталкиваются с нейтральными атомами и ионизирую их. В результате чего появляются новые свободные электроны и дверки.