3.1 Материал полупроводника – германий (Ge) или кремний (Si).
3.2 Результаты, полученные при выполнении предыдущей практической работы.
3.2 Рабочая температура t – в 0С, приращение температуры DT принимать равным самой температуре (естественно в 0С).
3.3 Приложенное к электронно-дырочному переходу напряжение – U, В.
Задание к практическому занятию №2
В соответствии с исходными данными необходимо выполнить следующие расчеты для электронно-дырочного перехода.
4.1. На основе соотношения, отражающего зависимость концентрации собственных носителей заряда полупроводника от ширины запрещенной зоны и температуры, найти значение температуры удвоения теплового тока p-n перехода.
4.2. Рассчитать во сколько раз увеличится тепловой ток I0 рассмотренного выше p-n перехода, при увеличении температуры на Δ Т.
4.3. Используя данные и результаты предыдущей задачи определить значение теплового тока I0 p-n перехода. Известны площадь поперечного сечения перехода S = 10-3см2, значения диффузионной длины носителей заряда Ln = Lp = l мм, а также значения коэффициентов диффузии неосновных носителей заряда Dn, Dp (см. табл. 3). Найти значение плотности теплового тока j0, значение теплового тока I0 и значение полного тока через переход I.
|
|
4.4. Используя данные и результаты предыдущей задачи определить значение барьерной емкости p-n перехода для равновесного состояния.
4.5. Для p-n перехода рассмотренного в предыдущих заданиях рассчитать значения статического и дифференциального сопротивления идеального p-n перехода для случаев, когда к нему приложено прямое и обратное напряжения со значениями равными U.
5. Выбор варианта задания для практического занятия №2
Студенты, имеющие нечетную предпоследнюю цифру студенческого билета, выполняют задание с использованием полупроводников на основе кремния, а имеющие четную цифру – с использованием полупроводников на основе германия (см. табл. 2). Основные их параметры при температуре Т =300 0 К приведены в табл. 3.
Практическое занятие №3
«Работа транзистора в усилительном режиме»
Целью данной работы является изучение усилительных каскадов на основе биполярных транзисторов а также приобретение навыков их расчёта.
Основные теоретические сведения