Биполярный транзистор ИМС

На подложку р-типа наращивается тонкий слой кремния n-типа.

В результате получается эпитаксиальная пленка n толщиной порядка 10-20 мкм. В эту пленку методом диффузии вводят акцепторную p примесь. Распределение примеси в такой тонкой пленке почти одинаково. Это позволяет получить очень четкий р-n переход.

Далее создаются методом локальной диффузии (поочередно) эмиттер и база

Рис.9.14Эпитаксиально - планарная технология производства биполярного транзистора

(а) – подложка с эпитаксиальным слоем и окисной пленкой для изолирующей диффузии;

(б) – изолирующая диффузия;

(в) – диффузия базы и эмиттера с последующей металлизацией.