Характеристики ДТЛ

Схема для снятия входной характеристики I_ВХ= F(U_ВХ) и характеристики прямой передачи U_ВЫХ = F(U_ВХ) приведена на рисунке а. Входная характеристика приведена на рисунке 1.7б, а характеристика прямой передачи на рисунке 1.9а. При нулевом напряжении на входе через диод VD 1 протекает ток I_ВХ=(Е_ПИТ- U_А)/R1 (поскольку он вытекает, то он отрицательный). Транзистор закрыт, ток коллектора отсутствует и на выходе напряжение равно напряжению источника питания. При увеличении входного напряжения диод VD 1 закрывается и входной ток уменьшается.

а) б)

Рисунок 1.7

При напряжении равном примерно 1,8 В ток начинает протекать по цепи VD 3, VD 4 и эмиттерный переход транзистора (ток через эти переходы начинает протекать, когда напряжение на каждом их них достигнет 0,6 В, см. ВАХ кремниего диода). Через диод VD1 в этом случае начинает протекать обратный ток. Ток базы транзистора равен I_Б=(E_ПИТ-U_А)/R1. Транзистор в этом случае переходит в режим насыщения и напряжение на выходе снижается до уровня 0,1 В.

Схема для снятия выходной характеристики приведена на рисунке 1.8.

Рисунок 1.8

а) б)

Рисунок 1.9

Характеристики снимаются в двух случаях: на вход ИМС подается напряжение логического ²0² (можно подать 0 В) и напряжение, соответствующее логической ²1² (5 В). В первом случае транзистор закрыт и при напряжении, которое подается на выход ИМС с потенциометра, равное 0 В, ток будет равен Е_ПИТ/R3, ток вытекает, поэтому он отрицательный. При подаче напряжения равного 5 В выходной ток будет равен 0.

Во втором случае, хотя транзистор открыт, он шунтируется милли -амперметром, и ток также будет равен Е_ПИТ/R3. При увеличении напряжения, когда оно сравняется с напряжение насыщения транзистора (0,1 В) ток будет равен 0. При дальнейшем увеличении выходная характеристика ИМС будет повторять выходную характеристику транзистора. (Она показана пунктиром, так как мощность рассеивания на коллекторе превышает допустимую).