Принцип действия и вольт-амперная характеристика диода

Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор, в основе которого лежит р-n -структура, состоящая из р- и n -областей, разделённых электронно-дырочным переходом (рисунок 2.1, а). Полупроводниковый диод представляет собой кристалл с двумя слоями проводимости, заключенный в корпус и снабженный двумя выводами для присоединения во внешнюю цепь. Основой любого полупроводникового диода является р-п -переход, определяющий его свойства, характеристики и параметры. При этом, в зависимости от конструктивных особенностей p-n -перехода и диода в целом полупроводниковые диоды изготовляют как в дискретном, так и в интегральном исполнении.

Рисунок 2.1 - Полупроводниковый диод

На рисунке 2.1, б показано обозначение диода на электронных схемах, а на рисунке 2.1, в - вольт-амперная характеристика идеального p-n -перехода (вентиля), у которого имеет место нулевое падение напряжения при протекании прямого тока и нулевой ток при приложении обратного напряжения. Принцип действия полупроводникового диода основывается на специфике процессов, протекающих на границе раздела р-n -слоев, в так называемом электронно-дырочном переходе (р-п -переходе).