Очистка пластин кремния в процессах полупроводникового производства. Окисление пластин кремния и германия

Окисление пластин кремния и германия

Процесс окисления кремния в структурах КНИ

Синергетический подход к процессу окисления

Возможность синергетического подхода к эволюции свойств структур КНИ

Теоретическое обоснование метода протонирования стандартных пластин кремния

Физико-химические основы smfrt-cut технологии

Стадия ядрообразования

Стадия роста

Стадия слипания

Отщепление

Особенности процесса сращивания стандартных пластин кремния между собой и пластинами изоляторов (стекла) и другими полупроводниковыми пластинами во влажных условиях (включая и метод молекулярного наслаивания) с использованием методов наблюдения выделения паров воды

Постановка задачи и предполагаемые решения проблемы активирования, гидрофилизации и сращивания поверхностей стандартных протонированных пластин во влажных условиях

7. Технология Гёзеля-Тонга связывания гидрофильных пластин во влажных условиях (включая и метод молекулярного наслаивания)

Экспериментальные данные по технологии газового скалывания получения структур КНИ с использованием методов термообработки поверхности во влажных условиях

Рассмотрение технологии процессов обработки

9.1. Поры для случая SiO₂// SiO₂ связывания пластин

Состояние сращенных пластин

Плоскостность пластин

Утоньчение и полировка сращенных пластин

Микродефекты сращенных структур

Радиационные свойства smart-cut структур КНИ

Заключение.

Список литературы

Реферат

Подписи к рисункам

Общий список работ