1.Ознакомится с приборами и оборудованием, необходимым для проведения работы.
2.
Собрать схему для снятия характеристик транзистора и дать проверить ее преподавателю.
3.
Снять семейство статистических входных характеристик транзистора, при напряжении на коллекторе, указанном в таблице. Напряжение на базе изменять в пределах 0-500 мВ через 100 мВ. Результаты занести в таблицу 1. Таблица1.
Uкэ,мВ
| Iб,мкА
|
Uкэ=0В
| Uкэ=-5В
| Uкэ=-10В
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4. Снимите семейство статистических выходных характеристик транзистора. Характеристики снимать для токов базы 0-500 мкА через каждые 100 мкА (ток базы поддерживать постоянным путем изменения напряжения на базе).Напряжение на коллекторе изменить в пределах 0-10 В. Результаты измерения занести в табл.2. Таблица2.
Uкэ,В
| Iб,мкА
|
Iб=0
| Iб=100мкА
| Iб=200мкА
| Iб=300мкА
| Iб=400мкА
|
|
|
|
|
|
|
5. Постройте по полученным данным входные и выходные статистические характеристики и определите по ним h параметры транзистора для рабочей точки в пределах линейного участка характеристики.