Фотопроводимость

При поглощении полупроводником фотона, энергия которого больше ширины запретной зоны (hn>DW), возможен переход электрона из валентной зоны в зону проводимости и одновременное образование дырки в валентной зоне. Образование дополнительных носителей заряда приводит к увеличению проводимости полупроводника. Наряду с образованием фотоэлектронов и фотодырок происходит конкурирующий процесс их рекомбинации. В результате при постоянной освещенности полупроводника образуется сравнительно небольшая стационарная концентрация свободных носителей тока. Для увеличения эффекта в полупроводник вводят примесные атомы (ловушки), которые, например, могут захватывать дырки из валентной зоны. Тогда число электронов в зоне проводимости может значительно возрасти, поскольку их рекомбинация с дырками затруднена. В этом случае чувствительность полупроводника к освещению резко возрастает и изменение сопротивления может составлять 10⁶.

Полупроводниковые фотосопротивления широко используются для регистрации световых сигналов. Их преимущества — высокая фоточувствительность и малые габаритные размеры, а недостатки — нелинейность люкс-амперной характеристики и инерционность.

Лекція 47.

Макроскопiчнi квантовi ефекти.

Явище надпровiдностi. Ефект Джозефсона. Надтекучiсть.

МАКРОСКОПИЧЕСКИЕ КВАНТОВЫЕ ЭФФЕКТЫ