2015-05-10
992
Отчет по лабораторной работе №7.
Выполнил: ст. гр. РТИ-211
Сычёв А.
Проверил: Михеев В. В.
Омск 2013
Цель работы: Измерить и изучить статические (в режиме постоянного тока и напряжения) вольт-амперные характеристики биполярного транзистора для схем включения «общая база» и «общий эмиттер», изучить принцип действия транзистора. По ВАХ рассчитать некоторые параметры транзистора. Сравнить справочные и измеренные ВАХ.
Описание установки:
Схема для исследования параметров биполярных транзисторов.
Справочные данные транзисторов МП39, МП40, МП41:
 |
Исследование выходных ВАХ и характеристик ОС для схемы с ОБ:
IЭ = 1 мА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 0,75 | ||||
| UЭ, мВ |
IЭ = 2 мА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 1,6 | ||||
| UЭ, мВ |
IЭ = 3 мА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 2,7 | 2,75 | 2,8 | 2,8 | 2,9 |
| UЭ, мВ |
IЭ = 4 мА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 3,6 | 3,7 | 3,75 | 3,8 | 3,8 |
| UЭ, мВ | 20,4 | 20,4 | 20,4 | 20,4 |
IЭ = 5 мА
|
|
|
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 4,5 | 4,7 | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| UЭ, мВ | 20,5 |
Исследование входных ВАХ и характеристик передачи тока для схемы с ОБ:
UК = 0 В
| IЭ, мА | 7,2 | |||||||
| UЭ, мВ | ||||||||
| IК, мА | 1,7 | 2,5 | 3,5 | 4,2 | 4,8 | 5,5 | 5,6 |
UК = -2 В
| IЭ, мА | |||||||||
| UЭ, мВ | |||||||||
| IК, мА | 1,9 | 2,9 | 3,6 | 4,7 | 5,5 | 6,5 | 7,4 | 8,4 |
UК = -4 В
| IЭ, мА | ||||||||||
| UЭ, мВ | ||||||||||
| IК, мА | 1,9 | 2,9 | 3,8 | 4,7 | 5,5 | 6,5 | 7,5 | 8,4 | 9,2 |
Исследование выходных ВАХ и характеристик ОС для схемы с ОЭ:
IБ = 20 мкА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 0,4 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | |
| UБ, мВ |
IБ = 40 мкА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 0,6 | 0,6 | 0,6 | 0,7 | |
| UБ, мВ | 80, |
IБ = 60 мкА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | |||||
| UБ, мВ |
IБ = 80 мкА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 1,5 | 1,5 | 1,6 | 1,6 | |
| UБ, мВ |
IБ = 100 мкА
| -UК, В | |||||
| IК, мА | 2,1 | ||||
| UБ, мВ |
Исследование входных ВАХ и характеристик передачи тока для схемы с ОЭ:
UК = 0 В
| IБ, мА | 0,01 | 0,02 | 0,03 | 0,04 | 0,05 | 0,06 | 0,07 | 0,08 | 0,09 | 0,1 |
| UБ, мВ | ||||||||||
| IК, мА |
UК = -2 В
| IБ, мА | 0,01 | 0,02 | 0,03 | 0,04 | 0,05 | 0,06 | 0,07 | 0,08 | 0,09 | 0,1 |
| UБ, мВ | ||||||||||
| IК, мА | 0,1 | 0,25 | 0,5 | 0,6 | 0,8 | 1,25 | 1,5 | 1,8 |
UК = -4 В
| IБ, мА | 0,01 | 0,02 | 0,03 | 0,04 | 0,05 | 0,06 | 0,07 | 0,08 | 0,09 | 0,1 |
| UБ, мВ | ||||||||||
| IК, мА | 0,15 | 0,25 | 0,5 | 0,6 | 0,9 | 1,1 | 1,4 | 1,6 | 1,9 | 2,25 |
Расчет рабочих параметров для схемы с ОБ:
|
|
|
Расчет рабочих параметров для схемы с ОЭ: 
Расчет h-параметров для схемы с ОБ:
Расчет h-параметров для схемы с ОЭ:
Вывод: В ходе лабораторной работы мы измерили статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора для схем включения ОБ и ОЭ, изучили принцип действия, рассчитали некоторые параметры транзистора. Схема включения транзистора с ОБ имеет коэффициент усиления по току близкий к единице, но меньше ее, и высокий коэффициент усиления по напряжению. А схема включения с ОЭ усиливает как ток, так и напряжение, поэтому ее можно использовать в качестве усилителя мощности.
