Порядок выполнения работы. Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов проводится по схеме, изображенных на рис

Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов проводится по схеме, изображенных на рис. 11.

Рис. 11. Схема лабораторной установки

- Подать напряжение с помощью переключателя П1 (загорится сигнальная лампа);

- Перевести переключатель П1 в положение “п/п”;

- Тумблер Т1 переключить в положение “п/п”, тем самым подготовить схему к исследованию вольт-амперной характеристики полупроводниковых диодов;

- Тумблер Т2 переключить в положение “ИП”, т.е. подключить источник постоянного напряжения;

- на источнике постоянного напряжения включить тумблер “сеть” (загорится сигнальная лампа);

- снять вольт-амперные характеристики в следующем порядке: подключить источник постоянного напряжения ИП, для чего замкнуть тумблер Т3 на соответствующий элемент (германий, кремний), в положение “Пр” для снятия прямой ветви p-n-перехода и в положение “Обр” для снятия обратной ветви этого перехода.

Первоначально снять одну из ветвей вольт-амперной характеристики того или иного элемента, для чего изменять напряжение на p-n-переходе (показание прибора V) от “0” до допустимого значения через равные интервалы (5 точек), фиксируя показания прибора А1 для случая снятия прямой ветви характеристики и А2 – обратной. Значения напряжения изменять потенциометром, размещенным на источнике питания ИП.

Сняв вольт-амперные характеристики p-n-перехода при одной температуре, эксперимент повторить при другой температуре. Для поддержания заданной температуры подключить термостат.

- Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1